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An NMOS output-capacitorless low-dropout regulator with dynamic-strength event-driven charge pump

Journal of Semiconductors 2024年第6期45卷 23-34页

作者： Yiling Xie Baochuang Wang Dihu Chen Jianping Guo School of Electronics and Information Technology Sun Yat-sen UniversityGuangzhou 510006China School of Microelectronics University of Science and Technology of ChinaHefei 230000China

In this paper,an NMOS output-capacitorless low-dropout regulator(OCL-LDO)featuring dual-loop regulation has been proposed,achieving fast transient response with low power *** event-driven charge pump(CP)loop with the dynamic strength control(DSC),is proposed in this paper,which overcomes trade-offs inherent in conventional *** presented design addresses and resolves the large signal stability issue,which has been previously overlooked in the event-driven charge pump *** breakthrough allows for the full exploitation of the charge-pump structure's poten-tial,particularly in enhancing transient ***,a dynamic error amplifier is utilized to attain precise regulation of the steady-state output voltage,leading to favorable static characteristics.A prototype chip has been fabricated in 65 nm CMOS *** measurement results show that the proposed OCL-LDO achieves a 410 nA low quiescent current(IQ)and can recover within 30 ns under 200 mA/10 ns loading change.

关键词： output-capacitorless low-dropout regulator fast transient low quiescent current event-driven charge pump

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