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Schottky barrier parameters and structural properties of rapidly annealed Zr Schottky electrode on p-type GaN

Journal of Semiconductors 2017年第6期38卷 44-51页

作者： V.Rajagopal Reddy B.Asha Chel-Jong Choi Department of Physics Sri Venkateswara University School of Semiconductor and Chemical Engineering Semiconductor Physics Research Center (SPRC)Chonbuk National University

The Schottky barrier junction parameters and structural properties of Zr/p-GaN Schottky diode are explored at various annealing *** analysis showed that the barrier height（BH）of the Zr/pGa N Schottky diode increases with annealing at 400°C（0.92 eV（I–V）/1.09 e V（C–V））compared to the asdeposited one（0.83 eV（I–V）/0.93 eV（C–V））.However,the BH decreases after annealing at 500°***,at different annealing temperatures,the series resistance and BH are assessed by Cheung’s functions and their values ***,the interface state density（NSS/of the diode decreases after annealing at 400°C and then somewhat rises upon annealing at 500°*** reveals that the maximum BH is obtained at 400°C,and thus the optimum annealing temperature is 400°C for the *** XPS and XRD analysis revealed that the increase in BH may be attributed to the creation of Zr–N phases with increasing annealing up to 400°*** BH reduces for the diode annealed at 500°C,which may be due to the formation of Ga–Zr phases at the *** AFM measurements reveal that the overall surface roughness of the Zr film is quite smooth during rapid annealing process.

关键词： zirconium Schottky contacts p-type GaN electrical characteristics energy distribution curves X-ray photoelectron spectroscopy X-ray diffraction

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