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Advanced strain engineering for state-of-the-artnanoscale CMOS technology

Science China(Information Sciences) 2011年第5期54卷 946-958页

作者： YANG Bin (Frank)1 & CAI Ming2 1Globalfoundries, 2070 Rt. 52, Hopewell Junction, NY 12533, USA 2IBM Semiconductor Research & Development Center, 2070 Rt. 52, Hopewell Junction, NY 12533, USA Globalfoundries New York USA IBM Semiconductor Research & Development Center New York USA

The introduction and advancement of strain engineering has been one of the most critical features for the state-of-the-art nanoscale CMOS transistors. This paper provides an overview of the major strain engineering techniques that have remarkably re-shaped the advanced CMOS transistor architecture, including embedded sige (esige), embedded Si:C (eSi:C), stress memorization technique (SMT), dual stress liners (DSL), and stress proximity technique (SPT). The advent of high-K/metal-gate (HKMG) also brings in additional strain benefit with its metal gate stressor (MGS) and replacement gate (RMG) process. Strain engineering continues to evolve and will remain to be one of the key performance enablers for the future generation of CMOS technologies.

关键词： strained silicon embedded sige embedded Si:C stress memorization technique dual stress liners high-K/metal-gate

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