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Impacts of short-channel effects on the random threshold voltage variation in nanoscale transistors

Science China(Information Sciences) 2013年第6期56卷 153-159页

作者： WANG RunSheng YU Tao HUANG Ru WANG YangYuan Institute of Microelectronics Peking University

In this paper,the impacts of device short-channel effects(SCEs) on the random threshold voltage(V TH) variation in nanoscale bulk MOSFETs are ***,the direct relationship between SCEs and random variations are *** adopting the electrostatic integrity(EI) as the index for SCEs,clear correlations of device SCEs with random V TH variations are observed,which indicate that the random variations can be reduced by simply improving the SCEs in MOS devices with the same channel *** addition,the random dopant fluctuation(RDF) induced σ Vth has a linear relationship with EI and channel ***,considering the contribution of SCEs on RDF modeling,a new normalization method of X VT plot is proposed,which provides a physical way to analyze random V TH variation in nanoscale MOSFETs with different process/device parameters(i.e.,with different electrostatic designs).

关键词： MOSFET short-channel effects(SCEs) random variation random dopant fluctuation(RDF) variability electrostatic integrity

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