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Density Functional Theory Study on the Structural and electronic properties of Ge(SiO_2)_n Clusters

Chinese Journal of Structural Chemistry 2011年第6期30卷 913-919页

作者：葛桂贤闫红霞井群周龙曹海宾张建军 Key Laboratory of Ecophysics and Department of Physics School of ScienceShihezi University

The geometry,stability,binding energy and electronic properties of（SiO2）n and Ge（SiO2）n clusters（n = 7） have been investigated by Density functional theory（DFT）.The results show that the lowest energy structures of Ge（SiO2）n are obtained by adding one Ge on the end site of the O atom or the Si near end site of the O atom in（SiO2）*** chemical activation of Ge-（SiO2）n is improved compared with（SiO2）*** calculated second-order difference of energies and fragmentation energies show that the Ge（SiO2）n clusters with n = 2 or 5 are stable.

关键词： (SiO2)n and Ge(SiO2)n clusters geometries electronic properties pacc:3640 3640B

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