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检索条件"主题词=electro-optic switch&modulator"

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An intrinsic limitation to silicon-on-insulator waveguide Mach-Zehnder interference based electro-optic devices

An intrinsic limitation to silicon-on-insulator waveguide Ma...

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2010亚洲光电子会议光电器件及其集成分会场

作者： Sawsan Abdul-Majid Rob Vandusen Imad Hasan T.Garry Tarr Trevor J.Hall School of Information Technology and Engineering University of Ottawa Dept.of electronics Carleton University

Mach-Zehnder interference（MZI）construction is broadly exploited to implement optical switches and modulators in the field of integrated optical/photonic ***-on-insulator（SOI）waveguides have been increasingly developed to implement highly integrated photonic devices and *** this work,for the SOI-waveguide MZI-type electro-optic（EO）modulated devices with free-carrier dispersion（FCD）effect,the FCD-induced extra optical absorption（EOA） loss and its negative impact upon the device performance are *** intrinsic limitation to this type of device is found to be the tension between the EOA loss and the interaction length for a half-wave *** numerical calculation and professional software simulation show the EOA loss of＜1.0dB determines an interaction length of *** performance decay processes of both EO switch and modulator due to the modulation-induced EOA loss are *** numerical calculation shows the optical on-chip（OC）loss is 1.0dB and the isolation between two outputs is 21dB for the EO switch,while for the EO modulator the OC loss is 1.0dB and 2.5dB at the off-and on-state,respectively,and the extinction ratio only approaches *** negative influence of this intrinsic limitation to the bandwidth of EO modulator is also analyzed.

关键词： Silicon-on-insulator waveguide Mach-Zehnder interference free carrier dispersion effect intrinsic limitation extra optical absorption loss electro-optic switch&modulator

来源： cnki会议评论

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