检索结果-南通市图书馆

Atomic layer deposited 2D MoS2 atomic crystals:From material to circuit

Nano Research 2020年第6期13卷 1644-1650页

作者： Hao Liu Lin Chen Hao Zhu Qing-Qing Sun Shi-Jin Ding Peng Zhou David Wei Zhang State Key Laboratory of ASIC and System School of MicroelectronicsFudan UniversityShanghai200433China

Atomic layer deposition(ALD)can be used for wafer-scale synthesis of 2D *** this paper,a novel,reliable,secure,low-cost,and high-efficiency process for the fabrication of MoS2 is introduced and *** resulting 2D materials show high carrier-mobility as well as excellent electrical *** molybdenum pentachloride(MoCl5)and hexamethyldisilathiane(HMDST)as ALD precursors,thickness-controlled MoS2 films are uniformly deposited on a 50 mm sapphire and a 100 mm silica *** is done with a high growth-rate(up to 0.90Å/cycle).Large-scale top-gated FET arrays are fabricated using the films,with a room-temperature mobility of 0.56 cm2/(V·s)and a high on/off current ratio of *** electrical uniformity is observed in the whole sapphire ***,logical circuits,including inverters,NAND,AND,NOR,and OR gates,are realized successfully with a high-k HfO2 dielectric *** inverters exhibit a fast response frequency of 50 Hz and a DC-voltage gain of 4 at VDD=4 *** results indicate that the new method has the potential to synthesize high quality MoS2 films on a large-scale,with hypo-toxicity and enhanced efficiency,which can facilitate a broader range of applications in the future.

关键词： atomic layer deposition molybdenum disulfide electrical uniformity field effect transistors logical circuits

来源：

维普期刊数据库评论

在线全文

维普期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

欢迎您,

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

在线全文

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

欢迎您,

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

在线全文

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：