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Analytical model for subthreshold current and subthreshold swing of short-channel double-material-gate MOSFETs with strained-silicon channel on silicon–germanium substrates
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Journal of Semiconductors 2014年 第10期35卷 30-36页
作者： Pramod Kumar Tiwari Gopi Krishna Saramekala Sarvesh Dubey Anand Kumar Mukhopadhyay National Institute of Technology Rourkela Department of Electronics and Communication Engineering Faculty of Electronics and Communication SRM University
The present work gives some insight into the subthreshold behaviour of short-channel double-material- gate strained-silicon on silicon-germanium MOSFETs in terms of subthreshold swing and off-current. The formu- latio... 详细信息
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