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A high performance InAIN/GaN HEMT with low Ron and gate leakage

Journal of Semiconductors 2016年第2期37卷 94-96页

作者：马春雷顾国栋吕元杰 Hebei Semiconductor Research Institute Shijiazhuang 050051China National Key Laboratory of ASIC Shijiazhuang 050051China

InA1N/GaN high-electron mobility transistors （HEMTs） with a gate length of 100 nm and oxygen plasma treatment were fabricated. A Si/Ti/A1/Ni/Au ohmic contact was also used to reduce the contact resistance. DC and RF characteristics of the devices were measured. The fabricated devices show a maximum drain current density of 2.18 A/mm at VGs = 2 V, a low on-resistance （Ron） of 1.49 *** and low gate leakage current. An excellent frequency response was also obtained. The current cut-off frequency （fT） is 81 GHz and the maximum oscillation frequency is 138 GHz, respectively.

关键词： InA1N high-electron-mobility transistor (HEMT) drain current density on resistance gate leakagecurrent oxygen plasma treatment

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