检索结果-南通市图书馆

Study on release rate of latent heat in Czochralski silicon growth

Rare Metals 2006年第Z2期25卷 51-54页

作者： REN Bingyan YANG Jiankun LI Yanlin LIU Xiaoping WANG Minhua School of Material Science and Engineering Hebei University of Technology Tianjin 300130 China School of Material Science and Engineering Hebei University of Technology Tianjin 300130 China School of Material Science and Engineering Hebei University of Technology Tianjin 300130 China School of Material Science and Engineering Hebei University of Technology Tianjin 300130 China School of Material Science and Engineering Hebei University of Technology Tianjin 300130 China

The pulling rate in czochralski silicon (CZSi) growth is important for reducing the cost of solar cell. In this paper, double-heater, heat shield and composite argon duct system were introduced in the Ф450 mm hot zone of a Czochralski furnace. The pulling rate under different thermal system was recorded in experiments. Argon flow and temperature fields were simulated by finite element method(FEM). Experimental results and numerical simulation indicate that double-heater and composite argon duct system can enhance obviously the release rate of latent heat. In Φ 200 mm Czochralski silicon (CZSi) growth, average pulling rate can increase from 0.6 mm·min-1 in the conventional hot zone to 0.8 mm·min-1 in the modified hot zone.

关键词： CZSi latent heat double-heater heat shield numerical simulation

来源：

维普期刊数据库

同方期刊数据库评论

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

欢迎您,

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

作者

语言

在线全文

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

欢迎您,

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

作者

语言

在线全文

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：