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Critical Transient Processes of Enhancement-mode GaN HEMTs in High-efficiency and High-reliability Applications

CES Transactions on Electrical Machines and Systems 2017年第3期1卷 283-291页

作者： Lucas(Juncheng)Lu Guanliang Liu Kevin(Hua)Bai GaN Systems Inc OttawaK2K 3G8 Canada University of Michigan-Dearborn Dearborn48128USA

Wide-bandgap devices,such as silicon-carbide metal-oxide-semiconductor field-effect transistors(MOSFETs)and gallium-nitride high electron mobility transistors(HEMTs),exhibit an excellent figure of merits compared to conventional silicon *** of applying such fast switches include accurate extraction and optimization of parasitics especially when 6high-efficiency operation,all of which require the comprehensive understanding of such switch especially its interaction with peripheral *** for the enhancement-mode GaN HEMTs without the intrinsic body diode,when reverse conducting,its high voltage drop causes a high dead-time loss,which has rarely a concern in silicon *** paper focuses on 650V/30~60A enhancement-mode GaN HEMTs provided by GaN Systems,analytically models its switching behaviors,summarizes the impact of parasitics and dead time,and applies it in two DC/DC *** design rules are generated not only for soft switching but also for hard switching applications.

关键词： DC/DC converter dead time double pulse test GaN HEMT soft switching

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