咨询与建议

限定检索结果

文献类型

  • 1 篇 期刊文献

馆藏范围

  • 1 篇 电子文献
  • 0 种 纸本馆藏

日期分布

学科分类号

  • 1 篇 工学
    • 1 篇 材料科学与工程(可...
    • 1 篇 电子科学与技术(可...

主题

  • 1 篇 ultra thin
  • 1 篇 direct tunnel cu...
  • 1 篇 nmosfets

机构

  • 1 篇 北京大学

作者

  • 1 篇 谭长华
  • 1 篇 许铭真
  • 1 篇 张贺秋

语言

  • 1 篇 中文
检索条件"主题词=direct tunnel current"
1 条 记 录,以下是1-10 订阅
排序:
An Empirical direct tunneling current Expression for Ultra-Thin Oxide nMOSFETs
收藏 引用
Journal of Semiconductors 2004年 第5期25卷 516-519页
作者: 张贺秋 许铭真 谭长华 北京大学微电子学研究所 北京100871
An empirical expression for the direct tunneling (DT) current is *** expression can be used to calculate the DT current for nMOSFETs with ultra thin oxide when the oxide thickness is considered as an adjustable *** r... 详细信息
来源: 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论