检索结果-南通市图书馆

Dielectric relaxation in pure and Co-doped Bi_(12)GeO_(20) single crystals

Journal of Advanced Dielectrics 2015年第3期5卷 45-49页

作者： C.Filipic A.Klos M.Gajc D.A.Pawlak J.Dolinsek A.Levstik Jozef Stefan Institute Jamova 391000 LjubljanaSlovenia Institute of Electronic Materials Technology Wolczynska 133PL-01919 WarsawPoland

We report the results of investigation of dielectric spectroscopy study of single crystals of Bi_(12)GeO_(20) and Bi_(12)GeO_(20) doped with Co *** complex dielectric constant was measured in the temperature interval from 5 to 450K and frequencies from 1Hz to *** electrical conductivity of both samples was thermally activated with potential barriers of 0.55eV and 0.59eV,*** samples had bigger complex dielectric constants and σ′ exhibited slightly steeper temperature dependence than in the pure *** dielectric relaxation was observed in pure and doped single crystals and relaxation frequencies showed similar activation energies as electrical conductivities.

关键词： Optical materials crystal growth from melts dielectric properties of solids and liquids dielectric loss and relaxation

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