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3D resistive RAM cell design for high-density storage class memory—a review

Science China(Information Sciences) 2016年第6期59卷 35-55页

作者： Boris HUDEC Chung-Wei HSU I-Ting WANG Wei-Li LAI Che-Chia CHANG Taifang WANG Karol FRHLICH Chia-Hua HO Chen-Hsi LIN Tuo-Hung HOU Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics National Chiao-Tung University Institute of Electrical Engineering Slovak Academy of Sciences Winbond Electronics Corporation

In this article, we comprehensively review recent progress in the Re RAM cell technology for 3D integration focusing on a material/device level. First we briefly mention pioneering work on high-density crossbar Re RAM arrays which paved the way to 3D integration. We discuss the two main proposed 3D integration schemes—3D horizontally stacked Re RAM vs 3D Vertical Re RAM and their respective advantages and disadvantages. We follow with the detailed memory cell design on important work in both areas, utilizing either filamentary or interface-limited switching mechanisms. We also discuss our own contributions on Hf O2-based filamentary 3D Vertical Re RAM as well as Ta Ox/Ti O2 bilayer-based self-rectifying 3D Vertical Re RAM. Finally,we summarize the present status and provide an outlook for the nearterm future.

关键词： RRAM ReRAM resistive switching crossbar cross-point storage class memory 3D integration atomic layer deposition selector

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ON HOMOGENEOUS RIEMANN BOUNDARY VALUE PROBLEMS OF HIGHER DEGREE

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Acta Mathematica Scientia 1997年第1期17卷 12-21页

作者：路见可 WUHAN UNIV DEPT MATHWUHAN 430072PEOPLES R CHINA

General solution for homogeneous Riemann problems of higher degree is considered. By introducing the concept of loop as well as cross-point, the problem is solved in detail for the quadratic case. The cubic and the qu... 详细信息

关键词： Riemann boundary value problems loop cross-point

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A 12bit 300MHz Current-Steering CMOS D/A Converter

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Journal of Semiconductors 2005年第6期26卷 1129-1134页

作者：倪卫宁耿学阳石寅中国科学院半导体研究所北京100083

The proposed DAC consists of a unit current-cell matrix for 8MSBs and a binary-weighted array for 4LSBs,trading-off between the precision,speed,and size of the *** order to ensure the linearity of the DAC,a double Centro symmetric current matrix is designed by the Q2 random walk *** achieve better dynamic performance,a latch is added in front of the current switch to change the input signal,such as its optimal cross-point and voltage *** a 12bit resolution,the converter reaches an update rate of 300MHz.

关键词： D/A converter current-steering CMOS mixed integrated circuit cross-point Q2 random walk

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