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A high-voltage SOI MOSFET with a compensation layer on the trenched buried oxide layer

Journal of Semiconductors 2013年第3期34卷 31-34页

作者：赵秋明李琦唐宁李勇昌 School of Information and Communication Guilin University of Electronic Technology Guilin Strong Micro Electronics Co. Ltd

A new silicon-on-insulator(SOI) high-voltage MOSFET structure with a compensation layer on the trenched buried oxide layer(CL T-LDMOS) is *** high density inverse interface charges at the top surface of the buried oxide layer(BOX) enhance the electric field in the BOX and a uniform surface electric field profile is obtained,which results in the enhancement of the breakdown voltage(BV).The compensation layer can provide additional P-type charges,and the optimal drift region concentration is increased in order to satisfy the reduced surface electric field(RESURF) *** numerical simulation results indicate that the vertical electric field in the BOX increases to 6 MV/cm and the B V of the proposed device increases by 300%in comparison to a conventional SOI LDMOS,while maintaining low on-resistance.

关键词： trenched buried oxide layer breakdown voltage on-resistance compensation layer

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Barrier and compensation layers in the East China Sea

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Acta Oceanologica Sinica 2008年第3期27卷 70-78页

作者： CHEN Xianyao QIAO Fangli WANG Qin WANG Xiuhongx YUAN Yeli Key Laboratory of Marine Science and Numerical Modeling of State Oceanic Administration First Institute of Oceanography State Oceanic Administration Qingdao 266061 China

Climatology of the isothermal layer depth （ILD） and the mixed layer depth （MLD） has been produced from in-situ temperaturesalinity observations in the East China Sea （ECS） since 1925. The methods applied on the global are used to compute the ILD and the MLD in the ECS with a temperature criterion AT=0. 8 ℃ for the ILD, and a density criterion with a threshold △σθ corresponding to fixed △T=0. 8 ℃ for the MLD, respectively. With the derived climatology ILD and MLD, the monthly variations of the barrier layer （BL） and the compensation layer （CL） in the ECS are analyzed. The BL mainly exists in the shallow water region of the ECS during April-June with thickness larger than 15 m. From December to next March, the area along the shelf break from northeast of Taiwan Island to the northeast ECS is characterized by the CL. Two kinds of main temperature - salinity structures of the CL in this area are given.

关键词： isothermal layer depth mixed layer depth barrier layer compensation layer East China Sea

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