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Effect of collector bias current on the linearity of common-emitter BJT amplifiers

Journal of Semiconductors 2010年第12期31卷 75-79页

作者：李琨滕建辅轩秀巍 School of Electronic and Information Engineering Tianjin University of Technology School of Electronic and Information Engineering Tianjin University

Using a Volterra series, an explicit formula is derived for the connection between input 3rd-order intercept point and collector bias current （IcQ） in a common-emitter bipolar junction transistor amplifier. The analysis indicates that the larger/CQ is, the more linear the amplifier is. Furthermore, this has been verified by experiment. This study also integrates a method called dynamic bias current for expanding the dynamic range of an LNA （low noise amplifier） as an application of the analysis result obtained above. IMR3 （3rd-order intermodulation rate） is applied to evaluate the LNA＇s performance with and without adopting this method in this study.

关键词： IIP3 collector bias current BJT dynamic bias current

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