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Study of Non-Ideal Effects for Extended Gate Field Effect Transistor chlorine ion sensing device

稀有金属材料与工程 2006年第A3期35卷 242-243页

作者： Jung-Chuan Chou Pei-Lan Chou Graduate School of Electronic Engineering National Yunlin University of Science and TechnologyDouliouTaiwan 640China Graduate School of Optoelectronics National Yunlin University of Science and TechnologyDouliouTaiwan 640China

We use the extended gate field effect transistor (EGFET)as the structure of the chlorine ion sensor,and the chlorine ion ionophores (ETH9033 and TDDMAC1)are incorporated into solvent polymeric membrane (PVC/DOS),then the chlorine ion selective membrane is formed on the sensing window,and the fabrication of the EGFET chlorine ion sensing device is *** surface potential on the sensing membrane of the EGFET chlorine ion sensing device will be changed in the different chlorine ion concentration solutions,then changes further gate voltage and drain current to detect chlorine ion *** will study non-ideal effects such as temperature,hysteresis and drift effects for the EGFET chlorine ion sensing device in this paper,these researches will help us to improve the sensing characteristics of the EGFET chlorine ion sensing device.

关键词： extended gate field effect transistor chlorine ion ionophore chlorine ion sensing device temperature effect hysteresis effect drift effect

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