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Proton-induced current transient in SiGe HBT and charge collection model based on Monte Carlo simulation

Science China(Technological Sciences) 2020年第5期63卷 851-858页

作者： WEI JiaNan LI Yang YANG WeiTao HE ChaoHui LI YongHong ZANG Hang LI Pei ZHANG JinXin GUO Gang School of Nuclear Science and Technology Xi’an Jiaotong UniversityXi’an 710049China School of Aerospace Science and Technology Xidian UniversityXi’an 710126China National Innovation Center of Radiation Application China Institute of Atomic EnergyBeijing 102413China

The study presents an investigation into the proton-induced current transient in a silicon-germanium heterojunction bipolar transistor(SiGe HBT).The temporal information of the proton-induced current transients is first measured and then compared with results from heavy ion microbeam ***,a model for proton-induced charge collection based on Geant4 Monte Carlo simulation tools is constructed by using the information from heavy ion experiment and 3D TCAD *** results obtained by the validated model exhibit good consistency with the proton experiment.

关键词： silicon-germanium HBT proton irradiation single event transient charge collection model

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