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Influence of doping position on the extinction ratio of Mach-Zehnder-interference based silicon optical modulators

Journal of Semiconductors 2012年第1期33卷 77-79页

作者： Zhao Yong Wang Wanjun Shao Haifeng Yang Jianyi Wang Minghua Jiang Xiaoqing Department of Information Science and Electronics Engineering Zhejiang University Hangzhou 310027China

The extinction ratio （ER） ofa Mach-Zehnder-interference （MZI） based silicon optical modulator can be strongly influenced by carrier absorption. Moreover, different doping positions can induce different distributions of injected carriers, leading to different ERs. This effect has been experimentally investigated based on the devices fabricated on silicon-on-insulator （SOl） by using a 0.18μm CMOS process. Our experiments indicate that a device with a doping position of about 0.5μm away from the edge of the rib waveguide has optimal ER.

关键词： silicon photonics modulator carrier dispersion effect carrier absorption doping position

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