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butt-joint regrowth method by MOCVD for integration of evanescent wave coupled photodetector and multi-quantum well semiconductor optical amplifier

引用

Chinese Physics B 2022年第4期31卷 686-692页

作者：肖锋韩勤叶焓王帅陆子晴肖帆 State Key Laboratory of Integrated Optoelectronics Institute of SemiconductorsChinese Academy of SciencesBeijing 100083China College of Materials Science and Opto-Electronic Technology University of Chinese Academy of SciencesBeijing 100049China

We have realized integration of evanescent wave coupled photodetector(ECPD)and multi-quantum well(MQW)semiconductor optical amplifier(SOA)on MOCVD platform by investigating butt-joint regrowth method of thick InP/InGaAsP waveguides to deep etched SOA *** combination of inductively coupled plasma etching and wet chemical etching technique has been studied to define the final mesa shape before *** comparing the etching profiles of different non-selective etchants,we have obtained a controllable non-reentrant mesa shape with smooth sidewall by applying one step 2 HBr:2 H_(3)PO_(4):K_(2)Cr_(2)O_(7)wet etching.A high growth temperature of 680℃is found helpful to enhance planar *** comparing the growth morphologies and simulating optical transmission along different directions,we determined that waveguides should travel across the regrowth interface along the[110]*** relation between growth rate and mask design has been extensively studied and the result can provide an important guidance for future mask design and vertical alignment between the active and passive ***-SOA integrated device has been successfully achieved by this method without further regrowth steps and provided a responsivity of 7.8 A/*** butt-joint interface insertion loss is estimated to be 1.05 dB/interface.

关键词： butt-joint regrowth etching profile non-reentrant mesa photonic integration

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