检索结果-南通市图书馆

A CMOS compatible process for monolithic integration of high-aspect-ratio bulk silicon microstructures

Science China(Information Sciences) 2014年第8期57卷 180-186页

作者： QIAN Liang YANG ZhenChuan YAN GuiZhen National Key Laboratory of Science and Technology on Micro/Nano Fabrication Institute of MicroelectronicsPeking University

We report a CMOS compatible bulk micromachining method for the integration of high-aspectratio single crystal silicon MEMS(micro electromechanical systems)devices and signal conditioning circuit on a standard silicon wafer.The trench refilling and residual silicon removing techniques are used to acquire a proper electrical insulation between the different actuation and sensing elements situated on either fixed or movable parts of an MEMS device.To demonstrate the compatibility of the process,an integrated MEMS accelerometer was implemented.Test results show that the resistance between different elements of the device is larger than1012?.The electrical properties of the transistors that experienced MEMS fabrication agree well with those without MEMS process,indicting the CMOS compatibility of the process.

关键词： monolithic integration trench isolation CMOS compatibility high-aspect-ratio bulk micromachining

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