检索结果-南通市图书馆

Deposition of p-Type Microcrystalline silicon Film and Its Application in Microcrystalline silicon Solar cells

Journal of Semiconductors 2008年第11期29卷 2130-2135页

作者：陈永生杨仕娥汪建华卢景霄郜小勇谷锦华郑文赵尚丽郑州大学物理工程学院材料物理重点实验室郑州450052 中国科学院等离子体物理研究所合肥230031 武汉工程大学材料科学与工程学院武汉430073

highly conductive boron-doped hydrogenated microcrystalline silicon （μc-si..h） films and solar cells are pre- pared by plasma enhanced chemical vapour deposition （PEcVD）. The effects of diborane concentration, thickness and substrate temperature on the growth and properties of B-doped layers and the performance of solar cells with high deposited rate i-layers are investigated. With the optimum p-layer deposition parameters, a higher efficiency of 5.5% is obtained with 0.78nm/s deposited i-layers. In addition, the carriers transport mechanism of p-type μc-si..h films is discussed.

关键词： boron-doped μc-si..h films Raman crystallinity dark conductivity solar cells

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