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Identification of strained black phosphorous by raman spectroscopy

Journal of Semiconductors 2017年第4期38卷 10-13页

作者： Jiawei Wan Junhong Guo Fangren Hu School of Optoelectronic Engineering and Gruenberg Research Centre Nanjing University of Posts and TelecommunicationsNanjing 210023China

Phosphorene has a very high hole mobility and can be a tuned band structure,and has become an ideal material for electronic *** this new type of two-dimensional material,in the applied strain,black phosphorus（BP） can be changed into an indirect band gap and metallic materials from the direct band gap semiconductor material,which greatly affect its inherent physical *** to identify strained micro structure changes becomes an important *** calculated raman spectra disclose that the Ag-2 mode and B（2g） mode will split and the raman spectra appear,while the Ag-1 mode is shifted to low-frequency *** deformation induced by strain will effectively change the raman mode position and intensity,this can be used to identify phosphorus changes.

关键词： black phosphorus strain raman scattering dft

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