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ageing of GaN HEMT devices： which degradation indicators？
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Journal of Semiconductors 2016年 第1期37卷 34-37页
作者： A. Divay O. Latry C. Duperrier F. Temcamani Groupe de Physique des Materiaux Universite et INSA de Rouen-UMR CNRS 6634-Normandie UniversiteSaint Etienne du RouvrayFrance University of Cergy ETIS UMR 8051 CNRSENSEA95000 Cergy-PontoiseFrance ECS-Lab ENSEA95000 Cergy-PontoiseFrance
A following of diverse degradation indicators during the ageing in operational conditions of A1- GaN/GaN HEMTs （high electron mobility transistors） is proposed. Measurements of pulsed I-V, Schottky barrier height, R... 详细信息
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