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Theoretical Study on adsorption and diffusion of N Atoms on Cu Low-index Surface

Chinese Journal of Chemistry 2004年第11期22卷 1225-1230页

作者：刁兆玉张晓明王泽新韩玲利 Department of Chemistry Shandong Normal University Jinan Shandong 250014 China

The adsorption and diffusion of N atoms on the three low-index Cu planes were studied using 5-parameter Morse potential (5-MP) method, and the best theory-experiment agreement was obtained. N atom of Cu(100) surface sit on the fourfold hollow site with the vertical height of 0.018 nm closely coplanar with the topmost copper layer, and the four CuN bond lengths are 0.182 nm and the fifth CuN distance is 0.199 nm. For Cu(111) system, the existence of aberrant Cu(100) reconstructed structure is approved at higher coverage, and at low coverage the structure is almost an ideal Cu(111) surface structure. With respect to Cu(110) system, the N atoms are adsorbed at LB and H3 sites, not at SB site. The diffusion passage and diffusion barrier of adsorbed N atoms were also studied.

关键词： 5-MP adsorption and diffusion potential energy surface structure

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