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High contrast ratio,high uniformity multiple quantum well spatial light modulators
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Journal of Semiconductors 2010年 第3期31卷 62-65页
作者： 黄寓洋 刘惠春 Wasilewski Z R Buchanan M Laframboise S R 杨晨 崔国新 边历峰 杨辉 张耀辉 Institute of Semiconductors Chinese Academy of Sciences Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics Chinese Academy of Sciences Institute for Microstructural Sciences National Research CouncilOttawa KIA 0R6Canada
Our latest research results on GaAs-A1GaAs multiple quantum well spatial light modulators are presented. The thickness uniformity of the epitaxial layers across the 3-inch wafer grown by our molecular beam epitaxy is ... 详细信息
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