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兰州大学学报 1986年第2期 80-80页

作者：张亚非张仿清陈光华

晶态 Ga·P·As 化合物发光二极管已广泛用于电子工业,但成本较高,最近我们已用廉价的非晶态材料研制出一种新的 P+μc-si∶h/pn-in/a-si1-xCx∶h/n+μc-si∶h 多层结构电注入发光器件,在室温下用肉眼直接观察到了蓝白色的电注入发光... 详细信息

晶态 Ga·P·As 化合物发光二极管已广泛用于电子工业,但成本较高,最近我们已用廉价的非晶态材料研制出一种新的 P+μc-si∶h/pn-in/a-si1-xCx∶h/n+μc-si∶h 多层结构电注入发光器件,在室温下用肉眼直接观察到了蓝白色的电注入发光（EL）,

关键词：发光器件 a-si:h/a-si x)C_x:h pin 发光二极管非晶态材料多层结构温下晶态复合机发光亮度

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Numerical Optimization of Tunnel-recombination Junction and Optical Absorption Properties of a-si:h/a-siGe:h Double-junction Solar Cell

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Journal of the Chinese Ceramic Society 2015年第1期 1-11页

作者： KE Shaoying WANG Chong PAN Tao WANG Zhaoqing YANG Jie YANG Yu Institute of Optoelectronic Information Materials Yunnan University National Laboratory for Infrared Physics Shanghai Institute of Technical Physics Chinese Academy of Science

The tunnel-recombination junction(TRJ) and optical absorption properties of a-si:h/a-si Ge:h double-junction solar cell were calculated by means of one dimensional simulator named AMPS-1D at the radiation of AM1.5G with a power density of 100 m W/cm2. since the TRJ is the core component of the tandem solar cell, the optical absorption of the sub-cells and the electronic transport properties at the interface of the sub-cells are affected by the thickness and doping concentration of the TRJ. As a result, the TRJ parameters were optimized. The numerical results indicate that the maximum conversion efficiency(Eff) of 9.862% can be obtained when the thickness and doping concentration of the TRJ are 10 nm and 5*1019 cm–3, respectively. Based on the analysis of the contour map of short circuit current density, the optimal current matching can be achieved for 130 nm-thick top i-layer and 250 nm-thick bottom i-layer. In addition, four kinds of TRJ structures were also simulated for the comparison purpose. According to the calculated resistivity and band structures of the four TRJs, the efficiency of the solar cell with n-type μc-si:h layer and p-type a-si:h layer in TRJ structure is greater than that with other TRJ structures. It is assumed that the effect of the band offset that results in the formation of triangular barrier and backscattering behavior at the edge of the TRJ could be responsible to this phenomenon.

关键词： a-si:h/a-si Ge:h tandem solar cell tunnel-recombination junction current matching band offset

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