检索结果-南通市图书馆

EcR-cVD法制备的a-c:f:h薄膜在N_2气氛中的热退火研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

物理学报 2002年第2期51卷 439-443页

作者：辛煜宁兆元程珊华陆新华甘肇强黄松苏州大学物理系薄膜材料实验室苏州215006 苏州大学化学系苏州215006

改变chf3 ch4源气体流量比 ,使用微波电子回旋共振化学气相沉积方法 (EcR cVD)制备了具有不同c—f键结构的a c :f :h薄膜 ,着重研究了退火对其结构的影响 .结果显示薄膜的厚度及其光学带隙E0 4随退火温度的上升均呈现了不同程度的下降 ... 详细信息

改变chf3 ch4源气体流量比 ,使用微波电子回旋共振化学气相沉积方法 (EcR cVD)制备了具有不同c—f键结构的a c :f :h薄膜 ,着重研究了退火对其结构的影响 .结果显示薄膜的厚度及其光学带隙E0 4随退火温度的上升均呈现了不同程度的下降 .借助于红外吸收光谱和所提出的热解模型解释了产生这种关系的结构上的根源 .

关键词：电子回旋共振化学气相沉积红外吸收光谱热退火光学带隙 EcR-cND a-c:f:h薄膜制备碳氟氢薄膜

源气体对沉积的a-c∶f∶h薄膜结构的影响

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

物理学报 2002年第8期51卷 1865-1869页

作者：辛煜宁兆元程珊华陆新华江美福许圣华叶超黄松杜伟苏州大学物理系薄膜材料省重点实验室苏州215006 苏州大学化学系分析测试中心苏州215006

采用微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积 (MWPEcRcVD)方法 ,使用不同的源气体 (chf3 ch4 ,chf3 c2 h2 ,chf3 c6 h6 )体系制备了a c∶f∶h薄膜 .由于ch4 ,c2 h2 ,c6 h6 气体在等离子体中的分解反应不同导致了薄膜的沉积速率和结构上... 详细信息

采用微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积 (MWPEcRcVD)方法 ,使用不同的源气体 (chf3 ch4 ,chf3 c2 h2 ,chf3 c6 h6 )体系制备了a c∶f∶h薄膜 .由于ch4 ,c2 h2 ,c6 h6 气体在等离子体中的分解反应不同导致了薄膜的沉积速率和结构上的差异 .红外吸收谱的结果表明 ,用c6 h6 chf3作为源气体沉积的薄膜中几乎不含h ,而用c2 h2 chf3所沉积的薄膜中的含氟量最高 ,其相应的c f振动峰位向高频方向偏移 .薄膜的真空退火结果表明 ,a c∶f∶h薄膜的热稳定性除了取决于薄膜的cc键浓度外 ,还与cc键和其他键结构的关联有关 ,此外 ,源气体对薄膜的f

关键词：源气体 a-c:f:h薄膜结构氟化非晶碳膜电子回旋共振化学气相沉积红外吸收光谱

真空退火对a-c:f:h薄膜的结构与光学带隙的影响

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

真空科学与技术学报 2004年第5期24卷 381-384页

作者：刘雄飞肖剑荣简献忠高金定中南大学物理科学与技术学院湖南长沙410083 上海理工大学电气工程学院上海200093

使用cf4和ch4为源气体 ,利用射频等离子体增强化学气相沉积 (Rf PEcVD)法制备了掺氟非晶碳 (a c :f :h)薄膜 ,并在N2 气氛中进行了不同温度的退火。用原子力显微镜 (AfM)观察了薄膜在退火前后表面形貌的变化 ,发现退火后薄膜表面变得平... 详细信息

使用cf4和ch4为源气体 ,利用射频等离子体增强化学气相沉积 (Rf PEcVD)法制备了掺氟非晶碳 (a c :f :h)薄膜 ,并在N2 气氛中进行了不同温度的退火。用原子力显微镜 (AfM)观察了薄膜在退火前后表面形貌的变化 ,发现退火后薄膜表面变得平坦 ,疏松。用紫外 -可见光透射光谱 (UV VIS)并结合傅里叶变换红外光谱 (fTIR)和喇曼 (Raman)光谱对薄膜进行了分析 ,获得了薄膜化学键结构和光学带隙的变化情况 ;发现薄膜的化学键结构和光学带隙与真空退火密切相关 ,高温退火后薄膜化学键结构 :chx(x=1,2 ,3下同 )、f -芳基、cf2 和cf等基团的含量改变 ;薄膜的光学带隙决定于chx、退火后chx 含量减少导致薄膜光学带隙的减小。

关键词：光学带隙键结构 a-c:f:h薄膜化学键薄膜光学平坦非晶碳真空退火 cf4 Rf

微波EcR-cVD法制备a-c:f:h膜的红外吸收及其光学带隙

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

材料科学与工程 2002年第2期20卷 163-165,176页

作者：甘肇强陆新华苏州大学物理系江苏苏州215006 苏州大学化学系江苏苏州215006

改变chf3 ch4 流量比R =[chf3] ([chf3]+[ch4 ]) ,采用微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积 (MWEcR cVD)方法沉积a c :f :h薄膜。a c :f :h薄膜的结构和光学带隙使用傅立叶变换红外光谱和紫外可见光谱来表征。红外结果表明 ,在低流... 详细信息

改变chf3 ch4 流量比R =[chf3] ([chf3]+[ch4 ]) ,采用微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积 (MWEcR cVD)方法沉积a c :f :h薄膜。a c :f :h薄膜的结构和光学带隙使用傅立叶变换红外光谱和紫外可见光谱来表征。红外结果表明 ,在低流量比R(R 薄膜的红外特征结构主要以 cf(10 6 0cm- 1 ) , cf2(112 0cm- 1 )以及 chx(2 80 0～ 30 0 0cm- 1 )的伸缩振动为主 ;在高流量比R(R >6 4 % )下 ,薄膜表现为类聚四氟乙烯(PTfE)的结构特征 ,典型的红外特征峰是位于 12 2 0cm- 1 处的 -cf2 反对称伸缩振动。薄膜的光学带隙Eg 随流量比R的变化表现为先降后升。进一步研究表明 ,薄膜中的h和f浓度调制着薄膜的cc共轭双键结构 ,使光学带隙Eg 从 2 37到 3

关键词：微波EcR-cVD法光学带隙 a-c:f:h薄膜傅立叶变换红外光谱紫外可见光谱类金刚石碳膜

功率和温度对a-c:f:h膜表面形貌和结构的影响

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

真空 2006年第2期43卷 21-23页

作者：肖剑荣徐慧刘雄飞马松山中南大学物理科学与技术学院湖南长沙410083

分析薄膜的表面形貌对其生长机理和光学性质研究有着十分重要的作用。本文使用cf4和ch4为源气体,利用射频等离子体增强化学气相沉积(Rf-PEcVD)法在不同射频功率和沉积温度下制备了掺氟氢化无定形碳(a-c∶f∶h)薄膜,并在N2气氛中进行了... 详细信息

分析薄膜的表面形貌对其生长机理和光学性质研究有着十分重要的作用。本文使用cf4和ch4为源气体,利用射频等离子体增强化学气相沉积(Rf-PEcVD)法在不同射频功率和沉积温度下制备了掺氟氢化无定形碳(a-c∶f∶h)薄膜,并在N2气氛中进行了不同温度的退火处理。用原子力显微镜(AfM)和扫描电子显微镜(SEM)观察了薄膜表面形貌,发现低功率下沉积的薄膜表面均匀性好、缺陷少;在低温下沉积的薄膜表面光滑,而高温下粗糙;真空低温退火可使薄膜表面形貌得到改善,但薄膜内空洞增加,退火温度过高,薄膜的结构发生变化,且在薄膜表面发生皲裂现象。用R am an光谱对薄膜内的结构变化进行了进一步的分析。

关键词： a-c:f:h薄膜表面形貌射频功率沉积温度真空退火

a-c∶f∶h films prepared by PEcVD

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

中国有色金属学会会刊：英文版 2004年第3期14卷 426-429页

作者：刘雄飞肖剑荣简献忠王金斌高金定 School of Physics Science and Technology School of Electric Engineering Institute of Technology Physics

fluorinated amorphous hydrogenated a-c∶f∶h carbon thin films were deposited using radio frequency plasma enhanced chemical vapor deposition（Rf-PEcVD） reactor with cf4 and ch4 as source gases and were annealed in a N2 atmosphere. The properties of these films were evaluated by fTIR spectrometry, UV-VIS spectrophotometry and single-wavelength spectroscopic ellipsometry. A correspondence relativity connection between the deposition rate and technology was found. The chemical bonding structures and the content of chx and cfx in the films are transformed and the optical band gap decreases monotonically with increasing temperature after annealing. The dielectric constant is increased with decreasing content of f in the films and the optical band gap is decreased with decreasing the content of h in the film.

关键词： a-c:f:h薄膜 PEcVD 制备电介质常数 ULSI 光学薄膜

含氟无定形碳膜的PEcVD制备及结构和性能研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

含氟无定形碳膜的PECVD制备及结构和性能研究

作者：肖剑荣中南大学

学位级别：硕士

含氟无定形碳薄膜(a-c：f：h)是一种新型功能材料，它可以用作电介质膜、抗摩膜、抗反射膜、保护膜、防腐膜以及包装材料薄膜等。本文利用射频等离子体增强化学气相沉积法，以cf和ch为反应气体，Ar或N为工作气体，制备了在不同工艺参量... 详细信息

含氟无定形碳薄膜(a-c：f：h)是一种新型功能材料，它可以用作电介质膜、抗摩膜、抗反射膜、保护膜、防腐膜以及包装材料薄膜等。本文利用射频等离子体增强化学气相沉积法，以cf和ch为反应气体，Ar或N为工作气体，制备了在不同工艺参量下的a-c：f：h膜，并对薄膜进行了退火处理;利用SEM、AfM、fTIR、XRD、Ellip、UV-VIS、Raman、XPS等测试、分析手段着重研究了射频功率、沉积温度、流量比和退火温度对薄膜的组分、化学键结构和物理性质的影响。通过研究得出：a-c：f：h薄膜生长速率主要决定于沉积温度和射频功率，低温和适当的功率有利于提高薄膜生长速率，气体的流量比对薄膜的生长速率有一定的影响;薄膜的表面形貌主要取决于射频功率、沉积温度和退火温度，低功率、低温度沉积的薄膜表面均匀致密，光洁度好，退火之后，薄膜表面趋于平坦，但变得疏松;射频功率、沉积温度、气体流量比和退火温度均影响薄膜的组分和化学键结构，尤其受温度的影响较为明显;薄膜的光学带隙决定于膜内h、cf、cf、cf的含量，也可以说与薄膜内的sp的含量有关，ch、cf、cf基团越少，cf越多，也就是说sp的含量越多，薄膜的光学带隙越小，在工艺上，薄膜的光学带隙取决于射频功率、流量比和温度;薄膜的介电常数决定膜内f的含量及键合方式，f的含量高，同时膜内cf、cf与cf之比较大，薄膜的介电常数小，在工艺上，主要与流量比有关，高流量比制备的薄膜介电常数小，射频功率和温度对薄膜的介电常数中南大学顿」业论文也有一定的影响;薄膜的热稳定性和粘附性取决于温度和射频功率，高温度、高功率下沉积的薄膜，热稳定性好;薄膜的形态主要受沉积和退火温度的影响，在较高的温度下沉积的薄膜内有微晶生成，沉积功率对形态也有一定的影响。

关键词： a-c:f:h薄膜 PEcVD 介电常数光学带隙热稳定性