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High mobility ultrathin zno p–n homojunction modulated by Zn_(0.85)Mg_(0.15)O quantum barriers

Chinese physics B 2018年第3期27卷 464-468页

作者： Jing-Jing Yang Qing-Qing Fang Wen-Han Du Ke-Ke Zhang Da-Shun Dong School of physics and Materials Science Anhui UniversityHefei 230601China Changzhou Institute of Technology Changzhou 213002China School of Materials Science and Engineering Nanyang Technological UniversitySingapor

The adding of ZnMgO asymmetric double barriers(ADB)in p-zno2(Li,n)/n-zno homojunction affects the p-n junction device performance *** different homojunctions are fabricated on Si(100)substrates by pulsed laser deposition;one is the traditional p-zno2(Li,n)/n-zno homojunction with different thicknesses named as S_(1)(250 nm)and S2(500 nm),the other is the one with ADB embedded in the n-layer named as Q(265 nm).From the photoluminescence spectra,defect luminescence present in the S-series devices is effectively limited in the Q *** current-voltage curve of the Q device shows Zener-diode rectification property because the two-dimensional electron gas tunnels through the narrow ZnMgO barrier under a reverse bias,thus decreasing the working p-n homojunction thickness from 500 nm to 265 *** ADB-modified homojunction shows higher carrier mobility in the Q *** electroluminescence of the zno homojunction is improved in Q compared to S_(2),because the holes in p-type zno(Li,n)can cross the wide ZnMgO barrier under a forward bias voltage into the zno quantum ***,electron-hole recombination occurs in the narrow bandgap of n-type zno,creating an ultraviolet light-emitting diode using the zno homojunction.

关键词： zno p-n homojunction light-emitting diodes ZnMgO asymmetric double barriers

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