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主题

  • 1 篇 磁性
  • 1 篇 zn空位缺陷
  • 1 篇 材料
  • 1 篇 zns
  • 1 篇 光学性质

机构

  • 1 篇 广西民族师范学院
  • 1 篇 北京工业大学
  • 1 篇 昌吉学院
  • 1 篇 云南师范大学

作者

  • 1 篇 房慧
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  • 1 篇 黄灿胜
  • 1 篇 孙毅
  • 1 篇 韦树贡
  • 1 篇 李凡生
  • 1 篇 王如志

语言

  • 1 篇 中文
检索条件"主题词=Zn空位缺陷"
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zn空位缺陷znS的电子状态、磁性质与光学性质研究
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量子电子学报 2018年 第4期35卷 507-512页
作者： 韦树贡 房慧 王如志 李凡生 黄灿胜 郝五零 孙毅 广西民族师范学院物理与电子工程学院 广西崇左532200 北京工业大学材料科学与工程学院 北京100124 云南师范大学数学学院 云南昆明650500 昌吉学院物理系 新疆昌吉831100
基于密度泛函理论第一性原理,研究了zn空位缺陷对znS半导体材料电子状态、磁性质和光学性质的影响.结果表明zn空位缺陷浓度为6.25%时,znS半导体材料仍呈直接带隙型能带结构,带隙较本征znS半导体增大了6.4%,达到2.19 eV.缺陷体系s态、p... 详细信息
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