检索结果-南通市图书馆

安全与环境工程 2014年第6期21卷 60-64页

作者：任超艳魏志钢潘湛昌谢英豪杜欣欣广东工业大学轻工化工学院广东广州510006

采用阴极电沉积法在泡沫镍上负载zn掺杂tio2,制得zn/tio2/泡沫镍光催化剂,利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)等对其进行了晶体结构、表观形貌、表面元素状态的分析,并研究了zn/tio2/泡沫镍在可见光照射和负偏... 详细信息

采用阴极电沉积法在泡沫镍上负载zn掺杂tio2,制得zn/tio2/泡沫镍光催化剂,利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)等对其进行了晶体结构、表观形貌、表面元素状态的分析,并研究了zn/tio2/泡沫镍在可见光照射和负偏压作用下光电催化氧化水体中As(Ⅲ)的反应性能。试验结果表明:zn成功以替代的形式进入tio2晶体内,zn/tio2/泡沫镍在可见光照射和最佳偏压-0.4V作用下,光电催化氧化As(Ⅲ)的反应速率为tio2/泡沫镍的1.5倍以上;当zn2+掺杂量为0.52%,初始As(Ⅲ)浓度为1.0mg/L,pH值为7±0.05,光照3h,施加-0.4V偏压时,As(Ⅲ)的去除率高达92.6%,此时氧化As(Ⅲ)的主要物质为超氧自由基,超氧自由基在光照作用下进一步转化成羟基自由基氧化As(Ⅲ);负偏压同时起阴极保护作用,避免引起基材金属镍溶出,可应用于处理饮用水。

关键词：砷污染 zn/tio2/泡沫镍光电催化氧化可见光负偏压

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