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河北师范大学学报（自然科学版） 2024年第1期48卷 1-8页

作者：唐贵德齐伟华河北师范大学物理学院河北省新型薄膜材料实验室河北石家庄050024 中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室北京100190

负二价氧离子具有满壳层价电子结构(2s^(2)2p^(6)).负一价氧离子的价电子结构为2s^(2)2p^(5),相当于存在1个O2p空穴.传统的凝聚态物理和材料化学研究中都假设氧化物中的氧离子全部为负二价离子,在迄今为止的绝大多数研究氧化物磁性和电... 详细信息

负二价氧离子具有满壳层价电子结构(2s^(2)2p^(6)).负一价氧离子的价电子结构为2s^(2)2p^(5),相当于存在1个O2p空穴.传统的凝聚态物理和材料化学研究中都假设氧化物中的氧离子全部为负二价离子,在迄今为止的绝大多数研究氧化物磁性和电输运性质的报道中,采用关于磁有序的超交换和双交换作用模型,都没有考虑O2p空穴的影响.然而,许多价电子状态实验证明,在氧化物中存在不可忽略的O2p空穴,即存在不可忽略的负一价氧离子,其占比可达30%或更多.基于这些实验结果,对传统磁有序模型进行改进,英美学者首先进行了探讨,笔者所在课题组与中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室合作进行了系统的研究.介绍了相关的典型实验结果和理论模型.

关键词：磁性材料磁有序模型 O2p空穴电子能量损失谱 x-射线光电子谱

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Si/Si直接键合界面性质的研究

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固体电子学研究与进展 2004年第3期24卷 390-395页

作者：陈松岩谢生何国荣厦门大学物理系厦门361005 中科院半导体所北京100083

通过三步直接键合方法实现了 Si/ Si键合。采用 xPS、FTIR、I-V、拉伸强度等手段对 Si/ Si键合结构的界面特性作了深入广泛的研究。研究结果表明 ,高温退火后 ,在键合界面没有 Si-H和 Si-OH网络存在 ,键合界面主要由单质 Si和不定形氧化... 详细信息

通过三步直接键合方法实现了 Si/ Si键合。采用 xPS、FTIR、I-V、拉伸强度等手段对 Si/ Si键合结构的界面特性作了深入广泛的研究。研究结果表明 ,高温退火后 ,在键合界面没有 Si-H和 Si-OH网络存在 ,键合界面主要由单质 Si和不定形氧化硅 Si Ox 组成。同时 ,研究还表明 ,I-V特性和键合强度强烈地依赖于退火温度。

关键词：硅直接键合界面性质红外透射谱 x-射线光电子谱伏安特性键合强度键合机理

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InP/GaAs材料和器件的直接键合

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半导体光电 2004年第6期25卷 426-429页

作者：谢生陈松岩王水菊何国荣林爱清陈朝厦门大学物理系厦门大学分析测试中心

　采用三步法在GaAs衬底上实现InP材料的键合,通过x 射线光电子谱(xPS)对样品键合界面进行化学价态和深度分布分析。结果表明,键合温度小于450℃时,样品界面主要由三维氢键网络组成;大于450℃时界面处发生互扩散,Ⅴ族元素主要在界面处富... 详细信息

　采用三步法在GaAs衬底上实现InP材料的键合,通过x 射线光电子谱(xPS)对样品键合界面进行化学价态和深度分布分析。结果表明,键合温度小于450℃时,样品界面主要由三维氢键网络组成;大于450℃时界面处发生互扩散,Ⅴ族元素主要在界面处富集,而Ⅲ族元素具有较深的扩散。因此提出界面层以InGaAs、InGaP为主,这种界面化学态的变化对样品的I V特性和键合强度都具有实质意义的影响,同时由于异质结带阶的存在,要获得良好的电学性质和强度,键合温度并不是越高越好,而是存在一个最佳温度。最后,在GaAs衬底上成功地键合了InGaAs/InP光电探测器。

关键词：直接键合 x-射线光电子谱 I-V特性键合强度探测器

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有序二氧化铈薄膜的制备与热稳定性研究

有序二氧化铈薄膜的制备与热稳定性研究

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TFC'11全国薄膜技术学术研讨会

作者：王国栋孔丹丹潘永和朱俊发合肥工业大学机械与汽车工程学院真空系中国科学技术大学国家同步辐射实验室

利用低能电子衍射(LEED)、同步辐射光电子能谱(SRPES)和x射线光电子谱原位、系统地研究Ru(0001)单晶表面外延生长CeO(111)薄膜表面形貌、电子结构和化学元素组成。超高真空条件,氧气氛(10-7Torr)中,热蒸发金属Ce,反应生成的CeO薄膜在衬... 详细信息

利用低能电子衍射(LEED)、同步辐射光电子能谱(SRPES)和x射线光电子谱原位、系统地研究Ru(0001)单晶表面外延生长CeO(111)薄膜表面形貌、电子结构和化学元素组成。超高真空条件,氧气氛(10-7Torr)中,热蒸发金属Ce,反应生成的CeO薄膜在衬底Ru(0001)单晶表面外延生长。结果表明,在低覆盖度下,非连续的CeO(1 11)薄膜与衬底Ru单晶的衍射斑点共存,两者衍射花样的晶格参数的比值为1.4:1。高覆盖度下,连续的CeO(111)薄膜完全覆盖衬底,只有1.4×1.4结构的衍射花样。15 ML完全氧化的CeO(111)薄膜价带谱中,3-8 eV之间展宽的谱峰是归属于Op能级,其中,6.5 eV和4.1 eV位置的2个谱峰分别对应于O 2p轨道与Ce 5d和Ce 4f0轨道形成的杂化态峰。当样品表面升温到600℃时,4.1 eV处的Ce4+(4f0)峰略微减弱,并且在1.6 eV处出现了Ce3+(4f1)峰,说明样品表面已经有部分Ce4+转化成Ce3+,发生了还原反应。若进一步提升样品的退火温度,则CeO的还原程度也越高。

关键词：同步辐射 x-射线光电子谱低能电子衍射有序二氧化铈退火

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