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一种x波段宽频低副瓣微带阵列天线的设计

一种X波段宽频低副瓣微带阵列天线的设计

2023年全国天线年会

作者：彭连辉唐海军李年波成都迅翼卫通科技有限公司

本文提出了一种x波段宽频低副瓣微带阵列天线的设计方法。采用缝隙耦合馈电的双层微带形式,有效拓展天线的工作带宽,采用不等幅功分器设计微带形式的馈电网络,得到了4×4元微带阵列天线。设计结果表明,在8.36 GHz～9.54 GHz频带内,S11小... 详细信息

本文提出了一种x波段宽频低副瓣微带阵列天线的设计方法。采用缝隙耦合馈电的双层微带形式,有效拓展天线的工作带宽,采用不等幅功分器设计微带形式的馈电网络,得到了4×4元微带阵列天线。设计结果表明,在8.36 GHz～9.54 GHz频带内,S11小于-10 dB,增益大于18.67 dBi,方位面和俯仰面副瓣抑制大于20 dBc。

关键词： x波段宽频微带低副瓣缝隙耦合

来源： cnki会议评论

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一种宽角扫描x波段双极化阵列

一种宽角扫描X波段双极化阵列

2022年全国微波毫米波会议

作者：苗菁张小林金谋平华东电子工程研究所

本文设计了一款中心频率为10GHz,工作带宽20%(AVSWR≤2.2:1)可实现两维扫描±45°的双极化微带天线阵列。天线采用十字交叉微带贴片天线,和双馈电点进行馈电,实现了宽带宽角的扫描特性。同时,采用电容馈电的方式克服天线尺寸减小带来的... 详细信息

本文设计了一款中心频率为10GHz,工作带宽20%(AVSWR≤2.2:1)可实现两维扫描±45°的双极化微带天线阵列。天线采用十字交叉微带贴片天线,和双馈电点进行馈电,实现了宽带宽角的扫描特性。同时,采用电容馈电的方式克服天线尺寸减小带来的阻抗变化,使天线在整个工作频带内均达到良好的阻抗匹配。且能够实现宽频带特性并提高端口之间的隔离度。在单元设计的基础上,建立了16×16元双极化微带天线阵面阵,通过电磁仿真验证可获得良好的天线性能。

关键词： x波段双极化阵列微带天线

来源： cnki会议评论

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x波段砷化镓单片驱动功率放大器

微电子学 2006年第6期36卷 834-836页

作者：张鲁川蔺兰峰东南大学集成电路学院江苏南京210096 南京电子器件研究所江苏南京210016

介绍了x波段砷化镓单片驱动功率放大器的结构设计、CAD设计、工艺制作及测试结果。该放大器工作频率高、增益高，同时具有一定的输出功率，适用于各种应用环境。x波段砷化镓单片驱动功率放大器工作在8～10GHz，典型输出功率≥20．5dBm... 详细信息

介绍了x波段砷化镓单片驱动功率放大器的结构设计、CAD设计、工艺制作及测试结果。该放大器工作频率高、增益高，同时具有一定的输出功率，适用于各种应用环境。x波段砷化镓单片驱动功率放大器工作在8～10GHz，典型输出功率≥20．5dBm，功率增益≥19dB，工作电流≤100mA。

关键词： x波段砷化镓驱动功率放大器

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x波段T/R组件波控运算芯片设计

现代雷达 2007年第6期29卷 77-79页

作者：陶军彭为张健南京电子技术研究所南京210013

介绍了一种x波段相控阵雷达T/R组件波控运算芯片的设计。芯片中包含乘法器、加法器、E2PROM、串并转换、运算控制、输出控制等功能模块,具有高速运算、可扩展、小型化等特点。文中详细论述了雷达对波控芯片的需求、工程计算、实现方案... 详细信息

介绍了一种x波段相控阵雷达T/R组件波控运算芯片的设计。芯片中包含乘法器、加法器、E2PROM、串并转换、运算控制、输出控制等功能模块,具有高速运算、可扩展、小型化等特点。文中详细论述了雷达对波控芯片的需求、工程计算、实现方案和关键技术,为x波段相控阵雷达T/R组件的工程实现提供了保障。

关键词： x波段 T/R组件波控运算芯片设计

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x波段大功率T/R组件

半导体技术 2012年第4期37卷 295-298页

作者：王抗旱中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050051

采用公共支路、发射支路、接收支路和电源调制及控制电路,设计制作了一种x波段大功率T/R组件。在组件中,利用低温共烧陶瓷(LTCC)基板实现了多层互连,采用Wilkinson功率合成器实现了大功率输出。在组件布局上,充分考虑腔体效应,合理安排... 详细信息

采用公共支路、发射支路、接收支路和电源调制及控制电路,设计制作了一种x波段大功率T/R组件。在组件中,利用低温共烧陶瓷(LTCC)基板实现了多层互连,采用Wilkinson功率合成器实现了大功率输出。在组件布局上,充分考虑腔体效应,合理安排各电路单元。在制作工艺方面,采用单元装配的方式,合理设置温度梯度。该组件在x波段9～10 GHz带宽范围内,接收支路噪声系数小于3.1 dB,接收增益为(25.7±0.2)dB,发射支路的功率增益大于30 dB,输出脉冲功率大于15W,移相均方根误差小于2°,衰减幅度均方根误差小于0.25 dB。

关键词： x波段 T/R组件低温共烧陶瓷功率合成器大功率

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x波段4位数控移相器MMIC研究

半导体技术 2010年第8期35卷 831-833,851页

作者：乔明昌王宗成中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050051

采用0.25μmGaAs FET芯片工艺成功制作了x波段4位数控移相器MMIC,对该数控移相器MMIC集成电路的设计、工艺制作过程做了阐述,并给出了实际测试参数。电路设计采用了高低通滤波器式移相器拓扑,串联FET与并联FET组合的电路方式。结果表明,... 详细信息

采用0.25μmGaAs FET芯片工艺成功制作了x波段4位数控移相器MMIC,对该数控移相器MMIC集成电路的设计、工艺制作过程做了阐述,并给出了实际测试参数。电路设计采用了高低通滤波器式移相器拓扑,串联FET与并联FET组合的电路方式。结果表明,在7.5~8.7 GHz频段内插入损耗≤7 dB,电压驻波比≤1.8∶1,开关时间≤30 ns,移相精度22.5°±2°,45°±3°,90°±3°,180°±3°,所有状态均方根移相误差≤5,控制电压-5 V或0 V。

关键词： x波段数控移相器插入损耗移相精度

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x波段交叉耦合型SIR带通滤波器的设计

微波学报 2014年第S1期30卷 161-164页

作者：郭婧汪常娥电子科技大学光电信息学院成都610054

交叉耦合型阶跃阻抗滤波器以阶跃阻抗谐振器(SIR)作为基本谐振单元,不仅具有小体积、易集成、带外抑制度高等特点,而且因为耦合谐振在阻带引入了有限传输零点,提高了过渡带陡度,增加了滤波器的选择性。文章介绍了交叉耦合SIR带通滤波器... 详细信息

交叉耦合型阶跃阻抗滤波器以阶跃阻抗谐振器(SIR)作为基本谐振单元,不仅具有小体积、易集成、带外抑制度高等特点,而且因为耦合谐振在阻带引入了有限传输零点,提高了过渡带陡度,增加了滤波器的选择性。文章介绍了交叉耦合SIR带通滤波器的基本理论和设计方法,并在理论基础上结合HFSS软件设计了一个x波段交叉耦合型SIR带通滤波器。通过给出仿真结果,验证了交叉耦合型SIR带通滤波器的性能优点和小型化优势。

关键词：交叉耦合型阶跃阻抗滤波器 SIR 传输零点 x波段小型化