检索结果-南通市图书馆

Comparison of wide-bandgap devices in 1 kV,3 kW LLC Converters

Chinese Journal of Electrical Engineering 2020年第3期6卷 65-72页

作者： Zhanbiao Gu Jiacheng Tang Wenming Zhu Kaiqi Yao Zhesi Gao Weijie Shi Zhiliang Zhang Xiaoyong Ren Hebei Semiconductor Research Institute Shijiazhuang 050051China Aero-Power Sci-Tech Center Nanjing University of Aeronautics and AstronauticsNanjing 210016China

Emerging wide-bandgap(WBG)devices,such as silicon carbide(SiC)MOSFETs and gallium nitride(GaN)high-electron-mobility transistors(HEMTs)provide new opportunities to realize high efficiency,high power density,and high reliability in several kHz,1 kV input,and several kW output ***,the performance comparison between SiC MOSFETs and GaN HEMTs in high-voltage,high-frequency,medium-high-power DC conversion applications have not yet been investigated *** 1 kV,3 kW LLC prototypes with GaN and SiC devices are built to perform a careful comparison of the prototypes in terms of parameters,power density,zero voltage switch realization,and overall *** provides guidance for the appropriate evaluation of WBG devices in high-voltage,high-frequency,and medium-high-power applications.

关键词： wide-bandgap devices application high voltage medium-high power

来源：

维普期刊数据库评论

在线全文

维普期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

欢迎您,

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

在线全文

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

欢迎您,

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

在线全文

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：