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High-speed electrooptical VOA integrated in silicon-on-insulator

Chinese Optics Letters 2003年第4期1卷 217-219页

作者：严清峰余金中夏金松刘忠立 State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics Institute of SemiconductorsChinese Academy of Sciences Beijing 100083 Microelectronics R&D Center Institute of Semiconductors Chinese Academy of Sciences Beijing 100083

In this paper, we present simulation results of an electrooptical variable optical attenuator (VOA) integrated in silicon-on-insulator waveguide. The device is functionally based on free carriers absorption to achieve attenuation. Beam propagation method (BPM) and two-dimensional semiconductor device simulation tool PISCES-II were used to analyze the dc and transient characteristics of the device. The device has a response time (including rise time and fall time) less than 200 ns, much faster than the thermooptic and micro-electromechanical systems (MEMSs) based VOAs.

关键词： Attenuation Electrooptical effects Silicon on insulator technology waveguide attenuators

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