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经贸实践 2015年第1X期 338-页

作者：周杰贵州永润煤业有限公司

在企业中,无论是管理者还是一般人员,无论是能源行业还是其他行业,大家对待工作的心态都各不相同,有些人积极上进,有些人消极颓废,但大多数人的终极目标是一致的,那就是职业成长的目标,即"向上走",简言之就是升职加薪。那么如何让自己... 详细信息

在企业中,无论是管理者还是一般人员,无论是能源行业还是其他行业,大家对待工作的心态都各不相同,有些人积极上进,有些人消极颓废,但大多数人的终极目标是一致的,那就是职业成长的目标,即"向上走",简言之就是升职加薪。那么如何让自己尽可能接近这一目标,笔者认为需要遵循"vth工作模式",以下是几点想法,不妨探讨。我们先来看一个公式:"S=VT"(路程=速度×时间)。S是路程,V是速度,T是时间。我们还可以引申一下,加入"H",代表"

关键词：职业成长 vth 工作方法持久性行为品质个人需要外来因素同类事件相信自己后天培养

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职业成长过程中的“vth模式”探讨

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经贸实践 2015年第10期 338-338页

作者：周杰贵州永润煤业有限公司

关键词：职业成长持久性耐力 vth 情商

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Improved Evaluation Method for the SRAM Cell Write Margin by Word Line Voltage Acceleration

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Circuits and Systems 2012年第3期3卷 242-251页

作者： Hiroshi Makino Naoya Okada Tetsuya Matsumura Koji Nii Tsutomu Yoshimura Shuhei Iwade Yoshio Matsuda Design Platform Development Division Renesas Electronics Corporation Kodaira Japan Faculty of Engineering Osaka Institute of Technology Osaka Japan Faculty of Information Science and Technology Osaka Institute of Technology Hirakata Japan Graduate School of Natural Science Kanazawa University Kanazawa Japan SoC Software Platform Division Renesas Electronics Corporation Itami Japan

An accelerated evaluation method for the SRAM cell write margin is proposed using the conventional Write Noise Margin (WNM) definition based on the “butterfly curve”. The WNM is measured under a lower word line voltage than the power supply voltage VDD. A lower word line voltage is chosen in order to make the access transistor operate in the saturation mode over a wide range of threshold voltage variation. The final WNM at the VDD word line voltage, the Accelerated Write Noise Margin (AWNM), is obtained by shifting the measured WNM at the lower word line voltage. The WNM shift amount is determined from the measured WNM dependence on the word line voltage. As a result, the cumulative frequency of the AWNM displays a normal distribution. Together with the maximum likelihood method, a normal distribution of the AWNM drastically improves development efficiency because the write failure probability can be estimated from a small number of samples. The effectiveness of the proposed method is verified using the Monte Carlo simulation.

关键词： Static Random Access Memory (SRAM) Write Noise Margin (WNM) vth Fluctuation Variance WNM Distribution

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