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检索条件"主题词=Vfb shift"
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Analysis of flatband voltage shift of metal/high-k/SiO_2/Si stack based on energy band alignment of entire gate stack
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Chinese Physics B 2014年 第11期23卷 536-540页
作者： 韩锴 王晓磊 徐永贵 杨红 王文武 Department of Physics and Electronic Science Weifang University Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integrated Technology Institute of Microelectronics Chinese Academy of Sciences
A theoretical model of flatband voltage （vfb） of metal/high-k/Si02/Si stack is proposed based on band alignment of entire gate stack, i.e., the vfb is obtained by simultaneously considering band alignments of metal/... 详细信息
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