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Electrical performance and reliability analysis of vertical gallium nitride Schottky barrier diodes with dual-ion implanted edge termination
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Chip 2024年 第3期3卷 36-42页
作者： Bo Li Jinpei Lin Linfei Gao Zhengweng Ma Huakai Yang Zhihao Wu Hsien-Chin Chiu Hao-Chung Kuo Chunfu Zhang Zhihong Liu Shuangwu Huang Wei He Xinke Liu College of Materials Science and Engineering College of Electronics and Information EngineeringInstitute of Microelectronics(IME)Guangdong Research Center for Interfacial Engineering of Functional MaterialsState Key Laboratory of Radio Frequency Heterogeneous IntegrationShenzhen UniversityShenzhen 518060China Department of Electronic Engineering Chang Gung UniversityTaoyuan 333TaiwanChina Department of Photonics and the Institute of Electro-Optical Engineering and with Foxconn Semiconductor Research InstituteNational Chiao Tung UniversityHsinchu 300TaiwanChina Xidian University School of MicroelectronicsXi’an710071China
In this study,a galliumnitride(gan)substrate and its 15μmepitaxial layer were entirely grown by adopting the hydride vapor phase epitaxy(HVPE)*** enhance the breakdown voltage(VBR)of vertical gan-on-gan Schottky barr... 详细信息
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