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vanadium defects Formation Mechanism in Undoped GaN Grown on Silicon

Journal of Rare Earths 2006年第Z1期24卷 41-44页

作者： Zhao Liwei Liu Caichi Teng Xiaoyun Hao Qiuyan Sun Shilong Zhang Wei School of Material Science and Engineering Hebei University of TechnologyTianjin 300130China

V defects in GaN layer grown on Si(111)using metalorganic chemical vapor deposition(MOCVD)were investigated by atomic force microscopy(AFM),plan-view transmission electron microscopy(TEM)and energy-dispersive X-ray spectrometer(EDS).Dislocations are the origination of V *** field around dislocations induce the concentration of C atoms,furthermore,slow growth rate on those{10-11}planes are suggested as being responsible for the initiation of V *** formation mechanism of V defects was discussed.

关键词： undoped GaN vanadium defect dislocation transmission electron microscopy

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