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机构

  • 2 篇 上海科学技术大学

作者

  • 1 篇 金汴骏
  • 1 篇 殷之义
  • 1 篇 金汴骏 殷之义 周...
  • 1 篇 陈石龄

语言

  • 2 篇 中文
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低温下P-N结的vf-t特性
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低温物理学报 1984年 第3期 220-225页
作者： 金汴骏 殷之义 陈石龄 上海科学技术大学物理系
本文讨论了低温下P-N结的正向电压降vf随温度t变化的特性。对几种硅与砷化镓二极管的vf-t特性,在4—300K的温区进行了测量。实验与分析表明国产二极管可用作低温宽温区测温探头。对其应用的可能性进行了分析。
来源： 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
低温下Ⅲ-Ⅴ族半导体P-N结的vf-t特性
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低温物理学报 1985年 第3期 254-256页
作者： 金汴骏,殷之义,周承浩 上海科学技术大学物理系 上海科学技术大学物理系 上海科学技术大学物理系
在4—300K的温区里,对正向恒定电流为10μA的几种GaAs、GaAsP、GaP二极管,进行了正向电压降vf温度特性的测量.结果表明,低温下这类二极管可用作宽温区的测温探头.D2管的性能优于其它的二极管.本文对实验结果作了讨论.
来源： 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
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