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Influence of Gold Particle Size on Melting Temperature of vls Grown Silicon Nanowire

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材料科学与工程（中英文版） 2010年第7期4卷 83-89页

作者： Yanfeng Jiang Yamin Zhang Microelectronic Center College of Information Engineering North China University of Technology Beo＇ing 100144 China

Vacant Level Structure (vls) Dependence in Isocharged Sequence Ions Collision with Helium

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近代物理研究所和兰州重离子加速器实验室年报：英文版 2005年第1期 108-109页

作者： Yu Deyang Cai Xiaohong Lu Rongchun Ruan Fangfang Shao Caojie Lu Jun Zhang Hongqiang Cui Ying Xu Xu Shao Jianxiong Ding Baowei Yang Zhihu Chen Ximeng Liu Zhaoyuan 不详 Department of Modern Physics Lanzhou University Lanzhou 730000 P. R. China.

In highly charged ions(HCI)-atom collisions, many electrons are active and much more channels are opened, and the collision dynamics therefore is much more complicated. Because of the complexity originated from many active electrons which are involved in HCI and atoms collisions, the full quantum treatment is rather difficult, whereas the simple classical over-the-barrier models and semiempirical

关键词：离子碰撞能级结构 vls 序列高电荷态离子原子碰撞碰撞动力学氦

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SiC晶须vls生长机理及生长动力学研究

Chinese Journal of Chemical Physics 1998年第3期11卷 256-260页

作者：陈友存王启宝安庆师范学院化学系中国矿业大学北京研究生部

对ＶＬＳ机理下稻壳合成ＳｉＣ晶须（ＳｉＣＷ）及生长动力学进行了研究。结果表明，ＳｉＯ２与Ｃ在高温下生成ＳｉＯ的反应是ＳｉＣ晶须生长的速率控制步骤；在形成晶须的催化剂作用下，ＳｉＣ晶须的生长速率与ＳｉＯ在催化剂熔球周围... 详细信息

对ＶＬＳ机理下稻壳合成ＳｉＣ晶须（ＳｉＣＷ）及生长动力学进行了研究。结果表明，ＳｉＯ２与Ｃ在高温下生成ＳｉＯ的反应是ＳｉＣ晶须生长的速率控制步骤；在形成晶须的催化剂作用下，ＳｉＣ晶须的生长速率与ＳｉＯ在催化剂熔球周围的浓度成正比；ＳｉＣ晶须生长的催化选择性随温度的增加而提高；复合催化剂可提高合成ＳｉＣ晶须的反应速率及催化选择性。

关键词：生长动力学催化剂稻壳碳化硅晶须合成 vls

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一维纳米材料的相平衡主导vls生长机理及其生长动力学研究

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一维纳米材料的相平衡主导VLS生长机理及其生长动力学研究

作者：蔡婧南京大学

学位级别：硕士

一维纳米材料由于其结构新颖、性能优异和前景广阔,受到人们的高度重视,其相关研究已成为充满竞争、挑战和机遇的前沿领域,其中,纳米材料的可控制备是关键,这有赖于对其生长机理的揭示和深刻理解。vls生长机理被广泛用于指导一维纳米材... 详细信息

一维纳米材料由于其结构新颖、性能优异和前景广阔,受到人们的高度重视,其相关研究已成为充满竞争、挑战和机遇的前沿领域,其中,纳米材料的可控制备是关键,这有赖于对其生长机理的揭示和深刻理解。vls生长机理被广泛用于指导一维纳米材料的制备,它是在20世纪60年代由Bell实验室的***等在解释Si晶须的生长机制时提出来的生长模型,后来被广泛应用于理解一维纳米材料的生长过程。长期以来,尽管人们获得了不少唯象的实验证据,但对该生长模型的本质缺乏足够的理解。结合我们课题组已有的工作基础,本论文围绕拓展相平衡主导的气-液-固生长机理普适性及其生长动力学开展研究工作,取得的研究进展包括：1.在Fe-Si合金体系氮化制备Si3N4纳米线研究中,获得了相平衡主导的vls生长机理新的证据。2.目前,相平衡主导的vls生长机理研究尚处在在热力学层面,深刻理解一维纳米材料的生长动力学有助于可控制备这些纳米材料。我们采用热分析技术初步探讨了一维纳米材料生长的宏观动力学,以Al-Ni合金氮化为例,建立动力学模型,获得生长过程的活化能和指前因子等宏观动力学参数。

关键词：一维纳米材料生长机理 vls 生长动力学可控制备一维纳米结构生长机制氮化铝合金体系生长模型

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SiC薄膜的vls选择性生长研究

SiC薄膜的VLS选择性生长研究

作者：马天菲电子科技大学

学位级别：硕士

作为第三代半导体材料之一,碳化硅(SiC)具有禁带宽度大、热导率高、电子的饱和漂移速度大、临界击穿电场高等特点,是高温、高频、大功率、抗辐射半导体器件的首选材料。随着微电子技术的发展,传统的Si和GaAs半导体材料由于本身结构和特... 详细信息

作为第三代半导体材料之一,碳化硅(SiC)具有禁带宽度大、热导率高、电子的饱和漂移速度大、临界击穿电场高等特点,是高温、高频、大功率、抗辐射半导体器件的首选材料。随着微电子技术的发展,传统的Si和GaAs半导体材料由于本身结构和特性的原因,在高温、高频等方面越来越显示出其不足和局限性。因此,在Si基片上生长3C-SiC薄膜,既能与目前成熟的Si工艺相兼容,又能发挥SiC材料的性能优点。本论文结合了气—液—固(Vapor-Liquid-Solid,vls)生长工艺,以Ni作催化剂,SiH4为Si源,CH4或C2H2为C源,H2为载气,采用化学气相沉积(CVD)在刻蚀有矩形凹槽的Si(100)基片上选择性生长3C-SiC薄膜。采用扫描电子显微镜(SEM)、电子能量色散谱仪(EDS)、X射线衍射仪(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、电子背散射衍射技术(EBSD)等手段对所生长的SiC薄膜进行表征,系统研究了催化剂用量、碳源种类、衬底温度、CH4与SiH4的流量比等工艺参数对SiC薄膜形貌、成份、晶体结构的影响。结果表明:在使用CH4作碳源,催化剂用量适中,C/Si为2:1,且衬底温度较高的条件下,在刻蚀有矩形长槽的Si(100)基片上选择性地生长出了高质量的3C-SiC薄膜,薄膜的生长速率达到30μm/h～60μm/h。为了进一步分析vls选择性生长的机理,本论文还就vls选择性生长SiC薄膜与气相生长SiC薄膜进行了对比研究,结果表明:采用vls工艺能够实现SiC薄膜在刻蚀有矩形长槽的Si基片上的选择性生长,而常规的气相生长则无法实现SiC薄膜的选择性生长,且催化剂的使用是vls选择性生长的关键;采用vls工艺能在提高薄膜生长速率的同时,改善SiC薄膜的质量。

关键词： SiC CVD vls 选择性生长

CSI与公安ESP教学——流行文化在英语vls教学中的导入

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福建警察学院学报 2009年第3期23卷 102-107页

作者：林晓萍福建警察学院基础部福建福州350007

针对当前公安院校的英语教学尚大多停留在EGP基础英语教学的层面,不能很好地适应新时期培养公安复合型人才的时代需求这一局限性,将流行文化CSI系列片导入公安ESP教学的vls课程中,可实现公安ESP教学的实用性与专业性的双赢效果。

关键词： CSI系列片 ESP 流行文化 vls

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巴西 vls 运载火箭首次发射失败

国际太空 1998年第2期

作者：恽舒齐

巴西ＶＬＳ运载火箭首次发射失败１９９７年１１月２日，巴西自己制造的第一枚“卫星运载火箭”（ＶＬＳ———ＶｅｉｃｕｌｏＬａｎｃａｄｏｒｄｅＳａｔｅｌｉｔｅｓ）进行了首次发射。ＶＬＳ火箭携带了一颗１５０ｋｇ重的ＳＣＤ２... 详细信息

巴西ＶＬＳ运载火箭首次发射失败１９９７年１１月２日，巴西自己制造的第一枚“卫星运载火箭”（ＶＬＳ———ＶｅｉｃｕｌｏＬａｎｃａｄｏｒｄｅＳａｔｅｌｉｔｅｓ）进行了首次发射。ＶＬＳ火箭携带了一颗１５０ｋｇ重的ＳＣＤ２Ａ环境数据收集卫星，从巴西的阿尔坎...

关键词：运载火箭 vls 发射失败巴西南美洲

SiCl4-CH4-H2-Ar体系中SiC晶须的vls法生长

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人工晶体学报 1991年第Z1期 339-339页

作者：周哲仪陈云张恒俞强陈钢 200050 中国科学院上海硅酸盐研究所中国科学院上海硅酸盐研究所上海

vls法生长机制首先是由***和***在1964年提出的。在我们研究上述体系的同时,日本Gifu大学的Seiji Motojima等在1988年发生了SiCl-CH-H-Ar系制备SiC晶须的研究。本实验研究了该法的整个工艺系统,并在1230℃下生长出了SiC晶须,晶须直径0.2... 详细信息

vls法生长机制首先是由***和***在1964年提出的。在我们研究上述体系的同时,日本Gifu大学的Seiji Motojima等在1988年发生了SiCl-CH-H-Ar系制备SiC晶须的研究。本实验研究了该法的整个工艺系统,并在1230℃下生长出了SiC晶须,晶须直径0.2～0.5μm,长度2mm左右。本文从热力学和分子动力学角度出发根据推导的ΔG~0～ΔH~0

关键词：晶须 vls 须晶 SiC SiCl4-CH4-H2-Ar CH

从运动着的vls仿真装置上发射“战斧”导弹

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系统工程与电子技术 1984年第5期 84-84页

作者：杨琳

美巡航导弹联合计划局1月10日宣布:昨天在水下试验台上成功地发射了一枚“战斧”反舰巡航导弹,该试验台是攻击潜艇用来携带和发射导弹的垂直发射系统(vls)的仿真装置。这枚导弹是在把仿真装置拖离开太平洋

关键词：反舰巡航导弹战斧仿真装置 vls