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机构

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作者

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  • 1 篇 丁立人
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  • 1 篇 d.salathe
  • 1 篇 李文生
  • 1 篇 黄茂学
  • 1 篇 k.kwasnitza
  • 1 篇 刘雅庭

语言

  • 7 篇 中文
检索条件"主题词=V3Ga"
7 条 记 录,以下是1-10 订阅
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v3ga 和 Nb3Sn 多芯超导体的脉冲磁场损耗和临界电流密度
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稀有金属材料与工程 1980年 第6期 62-68页
作者: K.Kwasnitza D.Salathe D.G.Howe D.U.Gubser 麻文明 瑞士苏黎世Edigenossische 工学院固体物理研究所 瑞士苏黎世Edigenossische 工学院固体物理研究所 美国华盛顿海军研究实验室 美国华盛顿海军研究实验室
过去,许多 A15超导体交流损耗的研究都是在场强最大为几千高斯的磁场下进行的,因为人们对 A15超导体在能量传送线方面的应用更感兴趣。在这里超导体只暴露于传导电流的自场中。扩散技术是制造 A15多芯超导体的一种方法,人们对于它们在... 详细信息
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在日本所发展的v3ga和其它高场超导体
收藏 引用
低温与超导 1975年 第1期 57-67页
作者: 丁立人
我们评述了在日本所发展的v3ga和其它超导化合物的制备工艺及性能。用表面扩散法制造的超导v3ga带看来能够产生高达180千高斯的磁场。用复合加工法制造多股细丝v3ga导线用于交流可能是有效的。除了A—15型晶体结构外,例如,用扩散法制造... 详细信息
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高场强超导体v3ga,(vZr)3ga及(vHf)3ga的缺陷组织及临界电流密度
收藏 引用
稀有金属材料与工程 1972年 第5期 109-124页
作者: 埃克哈尔特·内姆巴赫 刘雅庭 谢波 西德居廷恩大学金属物理系
用电子显微镜及 X 射线衍射研究了高场强超导体 v3ga 的高导电性能,结果是:此化合物只是由部分地有序排列与无序排列的细晶粒组成。材料的晶粒愈细,临界电流密度愈大。得出了晶界钉扎磁通线的结论。对此讨论了不同相互作用的机理。向钒... 详细信息
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超导电v3ga的结构和磁行为
收藏 引用
稀有金属材料与工程 1972年 第5期 105-108页
作者: B·N·达斯 D·U·古布塞 R·A·海因 孙洪志
背景:材料的加工方法大体上能改变可能有用的 v3ga 化合物的超导电行为。当我们思考所报告的这种化合物的转变温度(To)是在13.9K 和16.8K 之间变化时,这一点就显得更加明显。而详细的加工条件和在各种加工条件下的临界磁场和临界电流特... 详细信息
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用复合加工法制作的v3ga超导线材
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稀有金属材料与工程 1977年 第4期 76-77页
作者: 黄茂学
作为以Cu—ga合金和v芯复合加工法制取v3ga化合物多芯线的基础研究;介绍了复合带材、35芯多芯线材Cu—ga合金的组织、复合材料的加工性以及v3ga的扩散生成研究。通过Cu—ga固溶合金与v芯的复合材料的加工及热处理认为v3ga超导线材是很... 详细信息
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19股v3ga复合线的研制工艺及性能
收藏 引用
稀有金属材料与工程 1977年 第3期 76-77页
作者: 李文生
美国海军研究试验进展报告1976年1月登载一篇关于19股v3ga复合线的研制工艺及性能的文章,文章透露了美国海军研究试验室已成功地研究出一种具有极高临界电流密度的多股v3ga超导线。当工艺流程和导体配置最佳时,此种线材可做为向海军提... 详细信息
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用元素周期表Ⅲ—Ⅷ族的元素来合金化超导化合物v3ga
收藏 引用
稀有金属材料与工程 1975年 第5期 56-59页
作者: В·Н·СВЕЧНNКОВ ,黄金昌
具有β—W(A15)型晶体结构的金属化合物v3ga拥有较高的超导转变温度(根据不同的研究数据为14.5—16.5°K),很高的上临界磁场(210—250KG),和很高的临界电流密度。在一些文献中介绍了vga系相平衡图。事实表明,具有体心立方晶格... 详细信息
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