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  • 6 篇 电子文献
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  • 1 篇 电容
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  • 1 篇 衬底
  • 1 篇 漏极
  • 1 篇 栅极

机构

  • 1 篇 浙江大学
  • 1 篇 中国工程物理研究...
  • 1 篇 一四四七所
  • 1 篇 西德西门子公司

作者

  • 2 篇 何玉表
  • 1 篇 李媛华
  • 1 篇 k.hoffmann
  • 1 篇 邓云华
  • 1 篇 王励禹
  • 1 篇 陈福元
  • 1 篇 黄树新
  • 1 篇 任致程
  • 1 篇 李晏敏

语言

  • 6 篇 中文
检索条件"主题词=V-MOS"
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v-mos工艺
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微处理机 1979年 第4期 1-38页
作者： 何玉表 一四四七所
一、引言半导体工艺实验室中开发的新工艺,大体上每隔二、三年达到成熟阶段,并将之转入 LSI(大规模集成电路)的生产制造中。LSI 技术从七十年代系初期的高阈值 P 沟边铝栅 mos 工艺起,经 P 沟边单层硅栅、
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v-mos功率场效应管的应用
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电气时代 1986年 第11期 10-12页
作者： 任致程
功率场效应管v-mos,既具有电子管的优点,又具有晶体管的性能,因而一举成名,成为近几年来电子元件的后起新秀。图1为v-mos功率场效应管的外形图,图2为它的电路符号。和普通场效应管一样,它也有栅极G、漏极D、源极S。图2所示管子,属于n沟... 详细信息
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v-mos功率晶体管反馈电容和输入电容的测量
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半导体技术 1982年 第6期 18-20页
作者： 黄树新 陈福元 浙江大学半导体器件教研室
源极跟随器在高跨导、大负载电阻时,其输入电容近于mos晶体管反馈电容,本文提出了利用此原理测试mos管反馈电容和输入电容的方法。与利用密勒积分效应测量反馈电容等方法比较,本方法具有测量简便、准确的优点,尤其是适于在mos晶体管生... 详细信息
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适于制造动态RAM的v-mos工艺
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微处理机 1979年 第4期 149-161页
作者： K.Hoffmann 何玉表 西德西门子公司
开发出一种七次光刻 v-mos 工艺,用来制造有自对准v-mos 晶体受及平面铝栅晶体受的动态 RAM。利用4微米设计规则的光刻制版技术时,单受单元的面积为150um~2。位线上的有效信号大于200mv。读出放大器和守线驱动器的设计制造表明,这些电... 详细信息
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一种简单质优的放大器
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无线电与电视 1989年 第3期 42-44页
作者： 王励禹
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同步脉冲发生器
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测试技术学报 2002年 第Z2期16卷 771-774页
作者： 邓云华 李媛华 李晏敏 中国工程物理研究院流体物理研究所 四川绵阳919信箱107分箱621900 中国工程物理研究院流体物理研究所四川绵阳919信箱107分箱621900 中国工程物理研究院流体物理研究所四川绵阳919信箱107分箱621900
本文介绍一种高精度同步脉冲发生器,可用于同时触发多台仪器的测试系统中.其任意两路输出脉冲之间的分散性小于0.5ns.
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