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v波段波导短截线带通滤波器设计

固体电子学研究与进展 2019年第3期39卷 179-183,193页

作者：张华陶若燕南京电子器件研究所

设计和分析了v波段E面波导短截线带通滤波器。利用E面波导短截线带阻滤波器的通带-阻带特性与矩形波导的高通特性相结合,将波导短截线带阻滤波器嵌入WR-15矩形波导中,设计具有高阻带抑制性能、过渡边带陡峭、宽阻带范围的v波段宽带带通... 详细信息

设计和分析了v波段E面波导短截线带通滤波器。利用E面波导短截线带阻滤波器的通带-阻带特性与矩形波导的高通特性相结合,将波导短截线带阻滤波器嵌入WR-15矩形波导中,设计具有高阻带抑制性能、过渡边带陡峭、宽阻带范围的v波段宽带带通滤波器。采用"场"、"路"相结合的方法设计的带通滤波器,仿真与测试结果吻合较好,验证了该设计方法的有效性。经测试实现了18%的1dB带宽,在50.0~57.8GHz通带内插入损耗≤1dB,阻带频率58.9GHz处抑制为43.6dBc。

关键词： v波段 E面波导短截线过渡边带陡峭宽带带通滤波器

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v波段高隔离宽带波导功分器设计

微波学报 2018年第2期34卷 30-34,85页

作者：张华邵登云曾升中国电子科技集团公司第五十五研究所

基于电磁场全波分析方法,设计了一种v波段Y型结E面波导功分器,采用多节阶梯阻抗匹配结构实现宽频带;在主传输波导H面中心插入阻性薄膜的陶瓷基板来提高输出端口隔离度。波导功分器采用硅铝材料制作,具有重量轻、热膨胀系数低、导热良好... 详细信息

基于电磁场全波分析方法,设计了一种v波段Y型结E面波导功分器,采用多节阶梯阻抗匹配结构实现宽频带;在主传输波导H面中心插入阻性薄膜的陶瓷基板来提高输出端口隔离度。波导功分器采用硅铝材料制作,具有重量轻、热膨胀系数低、导热良好的优点,与陶瓷基片匹配良好。实测结果表明,在50~60 GHz频带内,传输损耗优于0.4 d B,典型隔离度25 d B,两路输出幅度一致性优于0.19 d B,相位不平衡度优于1.4°;功率容量理论值可达33 k W。经可靠性试验验证,证明该功分器可靠性高、适合工程使用。

关键词： v波段高隔离阶梯阻抗变换器 Al-50%Si 波导功分器

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紧凑型菱形缝隙v波段过模圆波导选模耦合器

强激光与粒子束 2016年第9期28卷 86-90页

作者：叶虎崔新红熊正锋清华大学工程物理系北京100084 西北核技术研究所高功率微波技术重点实验室西安710024

设计了一种用于测量v波段过模高功率毫米波源在线功率的选模耦合器。利用小孔耦合理论和微元法对菱形耦合缝隙进行了理论分析,采用两组相同的菱形耦合缝隙实现选模功能,缩短了耦合器长度,增加了工作带宽。采用数值模拟的方法对耦合器结... 详细信息

设计了一种用于测量v波段过模高功率毫米波源在线功率的选模耦合器。利用小孔耦合理论和微元法对菱形耦合缝隙进行了理论分析,采用两组相同的菱形耦合缝隙实现选模功能,缩短了耦合器长度,增加了工作带宽。采用数值模拟的方法对耦合器结构进行优化设计,模拟结果表明:在60GHz频点处,TM01模耦合度约为50dB,TM02模耦合度仅为75dB,对TM02模的抑制度为25dB;在500MHz带宽内对TM02模的抑制度大于15dB,1GHz带宽内的抑制度大于10dB,可满足工作于TM01模的v波段高功率毫米波测试需求。同时针对工作于高次模TM0n(n=2,3,4,…)的器件设计了可抑制TM01模的耦合器,为高次模工作的高功率毫米波器件的在线功率测量和模式诊断提供了技术方案。

关键词：高功率微波过模选模耦合器 v波段

一种用于FOD检测系统的v波段波导缝隙阵列天线

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电子技术应用 2023年第9期49卷 9-13页

作者：李炎任冲尹琰鑫北京宇航系统工程研究所北京100076

提出了一种适用于跑道异物(Foreign Object Debris, FOD)检测系统的v波段波导缝隙阵列天线。所提出的阵列天线工作频带为74~79 GHz,阵面包含2 048个单元。天线采用多模波导缝隙阵列天线形式,并设计了波导功分网络,具有高增益、低剖面等... 详细信息

提出了一种适用于跑道异物(Foreign Object Debris, FOD)检测系统的v波段波导缝隙阵列天线。所提出的阵列天线工作频带为74~79 GHz,阵面包含2 048个单元。天线采用多模波导缝隙阵列天线形式,并设计了波导功分网络,具有高增益、低剖面等优良特点。天线整体结构厚度10 mm以内,辐射效率50%以上。天线的实测结果表明,理论结果和测试结果吻合,具有较高的工程实用性。

关键词：多模波导缝隙阵 FOD 高增益低剖面 v波段

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紧凑型v波段八路功率合成放大器

紧凑型V波段八路功率合成放大器

一种相位编码脉冲压缩v波段脉冲多普勒引信设计

2022年全国微波毫米波会议

作者：黄昆周人田遥岭何月蒋均苏伟中国工程物理研究院微系统与太赫兹研究中心中国工程物理研究院电子工程研究所

本文提出了一种紧凑型的v波段八路功率合成放大器结构,采用了三维堆叠设计思路,结合了二阶T型节和E面波导双探针过渡结构构成紧凑八路合成网络。通过仿真软件设计,该合成网络在50GHz-62GHz频带范围内,该合成网络幅度差小于0.2d B,回波... 详细信息

本文提出了一种紧凑型的v波段八路功率合成放大器结构,采用了三维堆叠设计思路,结合了二阶T型节和E面波导双探针过渡结构构成紧凑八路合成网络。通过仿真软件设计,该合成网络在50GHz-62GHz频带范围内,该合成网络幅度差小于0.2d B,回波损耗优于-19.8dB,整体传输损耗小于0.2dB,折合合成效率大于90%。实物实测表明,该放大模块饱和输出功率大于28d Bm,带内平坦度优于2d B,增益大于15d B。

关键词： v波段八路功率合成二阶T型节 E面波导双探针

来源： cnki会议评论

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cnki会议

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航空兵器 2020年第1期27卷 33-38页

作者：张红旗陈彬李晓中国空空导弹研究院

为提高无线电引信的抗干扰能力,本文提出一种v波段的相位编码脉冲压缩多普勒引信,综合采用非大气窗口波段、脉内脉间相位编码、中频数字化、脉冲压缩及频域处理等多项技术,并详细介绍了各关键部分的实现方式,并进行了初步的抗干扰性能... 详细信息

为提高无线电引信的抗干扰能力,本文提出一种v波段的相位编码脉冲压缩多普勒引信,综合采用非大气窗口波段、脉内脉间相位编码、中频数字化、脉冲压缩及频域处理等多项技术,并详细介绍了各关键部分的实现方式,并进行了初步的抗干扰性能分析。

关键词：无线电引信非大气窗口 v波段脉冲压缩相位编码抗干扰

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v波段3W GaN功率放大器MMIC

半导体技术 2021年第8期46卷 599-603,634页

作者：刘如青刘帅高学邦付兴中中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050051

以50μm厚的SiC为衬底,基于T型栅GaN HEMT工艺技术,设计并制作了一款v波段GaN功率放大器单片微波集成电路(MMIC)。该功率放大器MMIC电路采用三级放大拓扑结构进行设计;采用高低阻抗微带传输线进行阻抗匹配和片上功率合成;采用介质电容... 详细信息

以50μm厚的SiC为衬底,基于T型栅GaN HEMT工艺技术,设计并制作了一款v波段GaN功率放大器单片微波集成电路(MMIC)。该功率放大器MMIC电路采用三级放大拓扑结构进行设计;采用高低阻抗微带传输线进行阻抗匹配和片上功率合成;采用介质电容和薄膜电阻进行偏置网络设计,实现稳定工作和低损耗输出。经测试,在55~65 GHz频带内,漏极工作电压+20 v、栅极工作电压-2.3 v的偏置条件下,在占空比20%、脉宽100μs脉冲状态时,该功率放大器MMIC的饱和输出功率达到3 W以上,功率附加效率达到22%;连续波状态时,其饱和输出功率达到2.5 W以上,60 GHz时最高功率达到3 W。

关键词： v波段氮化镓功率放大器单片微波集成电路(MMIC) 连续波

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新型v波段综合孔径辐射计接收阵列的设计

固体电子学研究与进展 2018年第2期38卷 106-110,126页

作者：梅亮崔冬张华曹珂南京电子器件研究所南京210016

提出了一种新型宽带24通道v波段综合孔径辐射计。通过改变本振频率,辐射计可在7个频点上工作,总带宽达到了1.4GHz。详细介绍了天线、接收通道、本振、电源等模块的设计。设计时广泛采用了单片微波集成电路(MMIC),实现了高增益和低噪声... 详细信息

提出了一种新型宽带24通道v波段综合孔径辐射计。通过改变本振频率,辐射计可在7个频点上工作,总带宽达到了1.4GHz。详细介绍了天线、接收通道、本振、电源等模块的设计。设计时广泛采用了单片微波集成电路(MMIC),实现了高增益和低噪声特性。对增益、噪声系数、1dB压缩点等参数进行了测试,结果表明24个接收通道的性能一致性较好。使用该辐射计对噪声源和高温物体进行了成像试验,成像结果清晰、锐利,实现了较好的成像效果。

关键词：微波辐射计综合孔径 v波段接收通道

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v波段微带-波导过渡设计

中国电子科学研究院学报 2019年第2期14卷 203-205页

作者：张运传刘志红华东电子工程研究所安徽合肥230031

本文介绍了一种应用于汽车防撞雷达收发前端测量的v波段微带-波导过渡设计。利用高频仿真软件HFSS对过渡结构进行了仿真优化并进行了实物制作。对过渡进行了测试并和仿真结果进行了对比分析。结果表明该过渡可以满足实际测试需求。

关键词： v波段微带-波导过渡防撞雷达仿真优化