检索结果-南通市图书馆

不同浓度下v掺杂Mg_(2) Si的第一性原理研究

在线全文

同方期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

原子与分子物理学报 2022年第3期39卷 111-117页

作者：梁前谢泉王熠欣罗祥燕贵州大学大数据与信息工程学院新型光电子材料与技术研究所贵阳550025

本文用基于密度泛函理论的超软赝势平面波方法,分别计算了四种v掺杂模型Mg_(2-x)v_(x)Si(x=0,0.25,0.5,0.75 )的电子结构和光学性质,并对其能带图、态密度图和光学性质进行了分析. 结果表明,v掺杂之后会使Mg_(2) Si由其原本的半导体性... 详细信息

本文用基于密度泛函理论的超软赝势平面波方法,分别计算了四种v掺杂模型Mg_(2-x)v_(x)Si(x=0,0.25,0.5,0.75 )的电子结构和光学性质,并对其能带图、态密度图和光学性质进行了分析. 结果表明,v掺杂之后会使Mg_(2) Si由其原本的半导体性变为半金属性,在费米能级处出现了杂质能级,态密度图也显示v元素的3d轨道的贡献在费米能级附近占据主导地位,Mg_(2) Si的光学性质随着v元素的掺入也发生了改变. 该文为Mg_(2) Si材料在电子器件和光学器件方面的应用提供了理论依据.

关键词： Mg_(2)Si v掺杂第一性原理电子结构光学性质

维普期刊数据库博看期刊

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

v掺杂锐钛矿相TiO_2的光吸收特性

物理化学学报 2010年第5期26卷 1401-1407页

作者：徐凌唐超群黄宗斌华中科技大学物理学院武汉430074

使用v2O5和乙醇作为v掺杂TiO2的滴加液,运用溶胶-凝胶方法制备了不同浓度的v掺杂锐钛矿相TiO2的薄膜样品.对这些样品进行了紫外-可见透射光谱实验,发现v掺杂锐钛矿相TiO2的光谱响应范围向可见光区域移动,掺杂浓度为1.0%(摩尔分数)时红... 详细信息

使用v2O5和乙醇作为v掺杂TiO2的滴加液,运用溶胶-凝胶方法制备了不同浓度的v掺杂锐钛矿相TiO2的薄膜样品.对这些样品进行了紫外-可见透射光谱实验,发现v掺杂锐钛矿相TiO2的光谱响应范围向可见光区域移动,掺杂浓度为1.0%(摩尔分数)时红移效果最明显.此外,运用第一性原理,对v掺杂锐钛矿相TiO2的电子结构进行了研究,并运用能带结构理论对实验现象进行了解释.研究中发现:在v掺杂锐钛矿相TiO2后,随着v浓度的增加,TiO2的禁带宽度逐渐减小,光谱响应范围扩大,能提高它的可见光响应;但是由于掺杂后价带与导带比较接近,容易形成新的空穴-电子复合中心,以及导带区域v3d轨道上电子与Ti3d轨道上的电子强关联作用也会降低电子的还原性,所以v浓度的增加会使TiO2的光催化性能降低.理论上计算出在v掺杂浓度为6.25%(摩尔分数)时,TiO2的光吸收边红移最大,与实验得到的变化趋势相吻合.

关键词： v掺杂锐钛矿相TiO2 能带结构吸收光谱

v掺杂MoO3纳米带的制备及v掺杂对乙醇气敏性能的影响

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

中国有色金属学报 2017年第8期27卷 1611-1620页

作者：赵云枫田靖雯刘舜舜曹敏驰易子谦杨爽刘曰利武汉理工大学理学院武汉4360070 武汉理工大学材料科学与工程学院硅酸盐建筑材料国家重点实验室武汉4360070

针对MoO_3气敏材料工作温度较高(300~500℃)、对低浓度气体检测能力有限等问题,采用水热法制备v掺杂MoO_3纳米带材料并组装成气敏元件,测试测试并探究不同v掺杂量对乙醇气敏性能的影响。结果表明:当前躯体中n(v):n(Mo)为1:10时,气敏元... 详细信息

针对MoO_3气敏材料工作温度较高(300~500℃)、对低浓度气体检测能力有限等问题,采用水热法制备v掺杂MoO_3纳米带材料并组装成气敏元件,测试测试并探究不同v掺杂量对乙醇气敏性能的影响。结果表明:当前躯体中n(v):n(Mo)为1:10时,气敏元件对乙醇气敏性能最佳。v掺杂MoO_3纳米带的最佳工作温度相比于纯MoO_3纳米带降低约80℃,对1000×10^(-6)(体积分数)乙醇响应值为基于纯MoO_3纳米带元件的5.2倍,说明v掺杂可以有效降低MoO_3材料的乙醇检测温度,并显著提高气敏响应值。

关键词：气体传感器 Mo O3纳米带 v掺杂响应值

v掺杂TiO_2纳米管阵列的制备及光催化研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

功能材料 2012年第11期43卷 1382-1385页

作者：徐宝龙张启富张晓君孙海燕都有为烟台大学光电信息科学与技术学院功能材料研究中心山东烟台264005 烟台大学环境与材料工程学院山东烟台264005 南京大学固体微结构国家重点实验室江苏南京210093

以钒钛合金为原料,应用阳极氧化法制备出高度致密、有序的v掺杂TiO2纳米管阵列。应用扫描电镜(SEM)和粉末X光衍射仪(XRD)表征分析纳米管阵列的形貌和结构,结果表明在浓度不同的HF电解液下制备出径向不同的纳米管阵列,电解液浓度(0.5%～1... 详细信息

以钒钛合金为原料,应用阳极氧化法制备出高度致密、有序的v掺杂TiO2纳米管阵列。应用扫描电镜(SEM)和粉末X光衍射仪(XRD)表征分析纳米管阵列的形貌和结构,结果表明在浓度不同的HF电解液下制备出径向不同的纳米管阵列,电解液浓度(0.5%～1.5%(质量分数)),管径变化(39.7～72.7nm)。在室温、可见光照射条件下,以10mg/L的亚甲基蓝溶液为模拟污染物进行光催化降解试验,研究了其光催化性能。结果显示v掺杂TiO2纳米管阵列光催化性能优于纯TiO2纳米管,且在HF电解液浓度为1.0%(质量分数)时制备出来的TiO2纳米管光催化降解有机毒物性能最佳。

关键词： TiO2纳米管阵列阳极氧化法 v掺杂光催化

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

v掺杂对类金刚石薄膜性能的影响

有色金属材料与工程 2023年第1期44卷 55-63页

作者：周信扬王静静李伟祝新发陆红妹刘平马迅上海理工大学材料与化学学院上海200093 上海工具厂有限公司上海200093

通过磁控溅射的方法,使用石墨靶、v靶复合拼接靶,以氩气作为辅助气体,成功制备了不同原子分数的v掺杂类金刚石薄膜。采用拉曼光谱仪、电子探针X射线显微分析仪、X射线光电子能谱仪、原子力显微镜、扫描电子显微镜、纳米压痕仪、薄膜应... 详细信息

通过磁控溅射的方法,使用石墨靶、v靶复合拼接靶,以氩气作为辅助气体,成功制备了不同原子分数的v掺杂类金刚石薄膜。采用拉曼光谱仪、电子探针X射线显微分析仪、X射线光电子能谱仪、原子力显微镜、扫描电子显微镜、纳米压痕仪、薄膜应力仪、往复摩擦磨损试验机等设备研究了v掺杂对类金刚石薄膜微观结构、力学性能、摩擦学性能的影响。结果表明,v掺杂提高了类金刚石薄膜的力学性能,当薄膜中v的原子分数为54.28%时,薄膜的硬度和弹性模量分别为14.1 GPa和147.6 GPa。掺杂v后,薄膜中生成了v_(2)O_(5),降低了薄膜的耐磨性能。这主要是因为v促进了sp^(3)杂化C数量的增加,并且在摩擦过程中,薄膜中的sp^(3)杂化C的数量进一步增加,导致其硬度升高,耐磨性能下降。

关键词：类金刚石薄膜磁控溅射 v掺杂力学性能摩擦学性能

v掺杂对La_(0.45)Ca_(0.55)MnO_3电荷有序态及输运性质影响的研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

稀有金属 2010年第3期34卷 345-351页

作者：王桂英严国清彭振生刘宁自旋电子与纳米材料安徽省重点实验室培育基地宿州学院电子与电气工程系安徽宿州234000 中国科技大学合肥微尺度物质科学国家实验室安徽合肥230026

采用标准固相反应法制备了La0.45Ca0.55Mn1-xvxO3(x=0.00,0.06,0.10,0.12)多晶样品。通过XRD、ρ-T曲线、M-T曲线和ρ-T拟合曲线,研究了Mn位v5+离子掺杂对体系的电荷有序相及输运性质的影响。实验结果表明:随着v5+离子的掺杂量的增加,... 详细信息

采用标准固相反应法制备了La0.45Ca0.55Mn1-xvxO3(x=0.00,0.06,0.10,0.12)多晶样品。通过XRD、ρ-T曲线、M-T曲线和ρ-T拟合曲线,研究了Mn位v5+离子掺杂对体系的电荷有序相及输运性质的影响。实验结果表明:随着v5+离子的掺杂量的增加,电荷有序相(CO)逐渐削弱,当x=0.10时,CO相基本融化但还有部分残留,当x=0.12时CO相完全融化;对低掺杂(x=0.00,0.06)样品,表现出复杂磁相:随温度降低,发生顺磁-电荷有序-反铁磁相变,40 K附近,在反铁磁背景下产生再入型自旋玻璃态;随掺杂量增加,体系的电阻率逐渐减小,当掺杂量x≥0.10时,样品发生金属-绝缘体相变,其相变温度随着掺杂量的增加而向高温移动。对于金属型导电机制满足自旋波散射和电-磁子之间的散射,而绝缘体导电机制有两种情况:x≤0.10的样品满足变程跃迁模型ρ=ρ0exp(T0/T)1/4,x=0.12的样品则满足小极化子绝热最近邻跃迁模型ρ=ATexp(Eα/κBT),通过掺杂实现了从变程跃迁到绝热小极化子最近邻跃迁。

关键词：钙钛矿锰氧化物电荷有序 v掺杂再入型自旋玻璃态

v掺杂TiO_2多孔膜层的制备及其光催化性能研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

中国陶瓷 2017年第9期53卷 25-29页

作者：罗强蔡启舟武汉轻工大学机械工程学院武汉430048 华中科技大学材料成形与模具技术国家重点实验室武汉430074

首先采用微弧氧化法制备了多孔的TiO_2膜,然后以NH_4vO_3为反应介质,对其进行水热后处理,制备了v掺杂的TiO_2膜。分别利用环境扫描电镜(ESEM)、EDX能谱、X射线衍射仪(XRD)、紫外-可见分光光度计来分析两种膜层的形貌、元素组成、相组成... 详细信息

首先采用微弧氧化法制备了多孔的TiO_2膜,然后以NH_4vO_3为反应介质,对其进行水热后处理,制备了v掺杂的TiO_2膜。分别利用环境扫描电镜(ESEM)、EDX能谱、X射线衍射仪(XRD)、紫外-可见分光光度计来分析两种膜层的形貌、元素组成、相组成、光吸收性能;并以亚甲基蓝为模型降解物,分别考察两种膜层在紫外光和可见光照射下的光催化活性。结果表明:两种膜层具有相似的形貌和相同的相组成。但是,与TiO_2膜相比,v掺杂的TiO_2膜的光吸收截止波长产生了明显的红移,带隙能显著减小,光催化活性也得到了有效的改善。

关键词： TiO2膜光催化 v掺杂微弧氧化后处理

溶胶-凝胶制备Ag、v掺杂TiO2纳米晶粉体及研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

溶胶-凝胶制备Ag、V掺杂TiO2纳米晶粉体及研究

作者：尤玉飞河南科技大学

学位级别：硕士

纳米TiO2所具有的独特半导体、气敏、光敏、光催化等诸多优良性能使其在光催化剂、传感器、染料敏化太阳能电池、自净陶瓷、抗菌自洁玻璃等方面得到广泛的应用。近年来，人们开始关注制备各种掺杂的纳米TiO2以改善其性能，从而使其得到... 详细信息

纳米TiO2所具有的独特半导体、气敏、光敏、光催化等诸多优良性能使其在光催化剂、传感器、染料敏化太阳能电池、自净陶瓷、抗菌自洁玻璃等方面得到广泛的应用。近年来，人们开始关注制备各种掺杂的纳米TiO2以改善其性能，从而使其得到更广泛的应用。本论文首先研究用溶胶-凝胶法制备TiO2纳米晶粉体，并在此基础上研究了v离子掺杂和Ag离子掺杂的TiO2纳米晶粉体的制备工艺。用X射线衍射仪(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、差热-热重分析仪(DSC-TGA)和光致发光分析仪(PL)对各种TiO2纳米晶粉体的晶体结构、晶粒尺寸、晶体转变过程和光致发光性能进行了分析。通过用谢乐公式、Spurr-Myers方法计算不同工艺得到TiO2纳米晶粉体的晶粒大小、TiO2同素异构晶体的相对质量含量。用晶体生长动力学方程对TiO2纳米晶粒生长激活能进行计算，并对TiO2纳米晶粒形成进行讨论。结果表明，用溶胶凝胶法制备的TiO2纳米晶粒尺寸在130nm。随着升高胶凝焙烧温度升高，TiO2晶体结构从非晶转变到锐钛矿再到金红石。并首次观察到锐钛矿相向金红石相转变时，锐钛矿(112)晶面和金红石相(100)晶面不仅平行还存在共格位相关系。计算表明锐钛矿相的晶粒生长激活能范围为300kJ mol1，金红石相为8kJ mol1。TiO2纳米晶粉体光致发光谱上有6个峰，其中396nm和419nm峰分别为锐钛矿和金红石相的电子带隙跃迁峰，449nm、466nm、481nm和490nm与晶体中的各种缺陷有关。与未参杂的TiO2纳米晶粉体相比，Ag离子的掺杂使锐钛矿晶型存在的温度范围变宽，在低温100℃就出现无定型和锐钛矿的混合体，并能保持到高温600℃。与未参杂的TiO2纳米晶粉体相比，Ag离子的掺杂使锐钛矿晶型向金红石晶型转变的温度范围变窄。Ag离子的掺杂抑制了TiO2晶粒的长大。TEM能够观察到Ag晶粒在TiO2的晶界上形核长大。与未参杂的TiO2纳米晶粉体相比，Ag离子掺杂差热-热重曲线在380℃多出一个AgNO3分解的放热峰，并且使高温有机物氧化的放热峰向高温推移600℃。Ag离子掺杂TiO2纳米晶粉体的光致发光实验说明Ag离子掺杂量的增加使光致发光强度升高，并出现了锐钛矿相的带隙电子跃迁峰和晶体表面氧空位缺陷峰。与未参杂的TiO2纳米晶粉体相比，在600℃掺杂v离子促进锐钛矿向金红石相转变但在700℃适量的掺杂抑制了锐钛矿向金红石相的转变，这说明v离子掺杂在晶型转变时可能会有反常现象。

关键词：溶胶-凝胶法 TiO2纳米晶 Ag掺杂 v掺杂相变

同方学位论文库评论

在线全文

同方学位论文库

学校读者我要写书评

暂无评论

v掺杂ZnO基稀磁半导体的结构及磁性研究

吉林师范大学学报（自然科学版） 2010年第2期31卷 33-35页

作者：冯博刘洋杨景海吉林师范大学凝聚态物理与材料科学研究所吉林四平136000 江苏大学材料科学与工程学院江苏镇江202013

利用溶胶-凝胶法制备前驱体,并在空气气氛中进行热处理,合成了具有六方纤锌矿结构的纯相ZnO及v掺杂ZnO纳米颗粒.分别用X射线衍射仪(XRD)、透射电镜(TEM)、振动样品磁强计(vSM)等测试手段对样品的结构、形貌和磁学性质进行表征测试.结果... 详细信息

利用溶胶-凝胶法制备前驱体,并在空气气氛中进行热处理,合成了具有六方纤锌矿结构的纯相ZnO及v掺杂ZnO纳米颗粒.分别用X射线衍射仪(XRD)、透射电镜(TEM)、振动样品磁强计(vSM)等测试手段对样品的结构、形貌和磁学性质进行表征测试.结果表明,v掺杂使晶格常数明显变小,同时抑制了晶粒的生长,没有发现第二相的存在.经过分析,认为v掺杂ZnO基稀磁半导体的铁磁性是其本质特性.

关键词：稀磁半导体 ZnO v掺杂铁磁性