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Performance and Effectiveness of unifet^TM II MOSFET in HID Lamp Ballast

Journal of Energy and Power Engineering 2012年第12期6卷 2001-2009页

作者： Jae-Eul Yeon Won-Hwa Lee Kyu-Min Cho Hee-Jun Kim Consumer Power System Team High Voltage Power Conversion Industrial & Automotive Bucheon 420-711 Korea Department of Information and Communication Engineering Yuhan Univisity Bucheon 422-749 Korea School of Electrical and Computer Engineering Hanyang University Ansan 426-791 Korea

An advanced cell structure and lifetime control technology has enhanced on-resistance and reverse recovery performance of power MOSFET （metal oxide semiconductor field-effect transistor） simultaneously. This paper introduces a newly developed planar MOSFET--unifetTM Ⅱ MOSFET--with highly improved body diode characteristics, and presents its performance and effectiveness. unifet II MOSFET is divided into normal FET（field effect transistor）, FRFET （fast recovery field effect transistor）, and Ultra FRFET MOSFETs according to the concentration of lifetime control, and their reverse recovery times are about 70%, 25%, and 15% of that of a conventional MOSFET, respectively. To verify the performance and effectiveness of the new MOSFET, an experiment using a 150 W HID （high intensity discharge） lamp ballast that includes a mixed frequency inverter was implemented. As a result, it was verified that two unifet ⅱ MOSFETs can replace two conventional MOSFEs and four additional FRDs （fast recovery diodes） without MOSFET failure.

关键词： unifet ⅱ FRFET Ultra FRFET MOSFET failure mixed frequency inverter HID ballast.

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