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Nanoimprint Lithography -A Next Generation High Volume Lithography Technique

半导体技术 2004年第7期29卷 86-91页

作者： R. Pelzer P. Lindner T. Glinsner B.Vratzov C.Gourgon S.Landis P. Kettner C. Schaefer EV Group DI Erich Thallner Strasse 1 A-4780 SchaerdingEV Group DI Erich Thallner Strasse 1 A-4780 SchaerdingEV Group DI Erich Thallner Strasse 1 A-4780 SchaerdingAMICA AMO GmbH Huysensweg 25 D-52074 AachenLaboratoire des Technologies de la Microelectronique CNRS 17 R. des MartyrsF- 3805Grenoble Cedex4CEA-LETI 17 R. des Martyrs F- 38054 Grenoble CedexEV Group DI Erich Thallner Strasse 1 A-4780 SchaerdingEV Group DI Erich Thallner Strasse 1 A-4780 Schaerding

Nanoimprint Lithography has been demon-strated to be one of the most promising next genera-tion techniques for large-area structure replicationin the nanometer scale. This fast and low costmethod becomes an increasingly important instru-ment for fabrication of biochemistry,m-fluidic, m-TAS and telecommunication devices, as well as for awide variety of fields in the nm range, like biomedical,nano-fluidics,nano-optical applications, datastorage, *** to the restrictions on wavelength and theenormous development works, linked to high pro-cess and equipment costs on standard lithographysystems, nanoimprint lithography might become areal competitive method in mainstream IC *** are no physical limitations encountered withimprinting techniques for much smaller replicatedstructures, down to the sub-10nm range [1]. Amongseveral Nanoimprint lithography techniques resultsof two promising methods, hot embossing lithogra-phy (HEL) and uv-nanoimprinting (uv-nil) will bepresented. Both techniques allow rapid prototypingas well as high volume production of fully patternedsubstrates for a wide range of *** paper will present results on HE and uv-nil, among them full wafer imprints up to 200mmwith high-resolution patterns down to nm range.

关键词：光刻 HEL uv-nil MCP 光对准

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