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日期分布

学科分类号

  • 1 篇 工学
    • 1 篇 材料科学与工程（可...
    • 1 篇 电子科学与技术（可...

主题

  • 1 篇 高斯分布
  • 1 篇 虚拟阴极
  • 1 篇 阈值电压
  • 1 篇 utbb-soi mosfet

机构

  • 1 篇 瑞芯微电子股份有...
  • 1 篇 集美大学

作者

  • 1 篇 李诗勤
  • 1 篇 陈红霞
  • 1 篇 黄长斌
  • 1 篇 刘璟
  • 1 篇 韦素芬

语言

  • 1 篇 中文
检索条件"主题词=UTBB-SOI MOSFET"
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杂质纵向高斯分布utbb-soi mosfet的虚拟阴极阈值电压解析模型
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集美大学学报（自然科学版） 2021年 第5期26卷 472-480页
作者： 韦素芬 陈红霞 李诗勤 黄长斌 刘璟 集美大学海洋信息工程学院 福建厦门361021 瑞芯微电子股份有限公司 福建福州350003
采用Sentaurus Process工艺仿真工具,验证了超薄硅膜内单次纵向离子注入并快速热退火后所实现的轻掺杂杂质分布符合高斯规律。设计杂质纵向高斯分布的轻掺杂纳米utbb-soi mosfet,用虚拟阴极处反型载流子浓度来定义阈值电压的方法,为器... 详细信息
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
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