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Modeling and Analysis of Low Frequency Noise in Ion-Field-Effect Transistors Sensors
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Modeling and Numerical Simulation of Material Science 2014年 第3期4卷 119-127页
作者： Jihen Chermiti Sawsen Azzouzi Mounir Ben Ali Mhamed Trabelsi Abdelhamid Errachid Higher Institute of Applied Sciences and Technology of Sousse University of Sousse Sousse Tunisia Higher Institute of Applied Sciences and Technology of Sousse University of Sousse Sousse Tunisia Laborory Materials Molecules and Applications University of Carthage IPEST Tunis Tunisia Institute of Analytical Sciences of Lyon Université Claude Bernard Lyon 1 Lyon France
Ions Sensitive Field Effect Transistors (ISFETs) are becoming the platform sensors for important chemical and biomedical applications. However, the accuracy of ISFET output measurement is greatly affected by the prese... 详细信息
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