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tio2掺杂对Ni2P/Al2O3催化剂结构及菲加氢饱和活性的影响

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TiO2掺杂对Ni2P/Al2O3催化剂结构及菲加氢饱和活性的影响

磁性离子掺杂对tio2薄膜光催化性能的影响

第四届能源转化化学与技术研讨会

作者：王九占刘道诚李泽荆洁颖冯杰李文英太原理工大学省部共建煤基能源清洁高效利用国家重点实验室煤科学与技术教育部重点实验室

煤焦油富含芳烃的特点赋予其制备高性能喷气燃料的可行性,且芳烃中稠环芳烃类化合物的加氢饱和产物环烷烃(如全氢菲)可显著增强喷气燃料的热安定性。该过程实现的关键在于制备高性能加氢饱和催化剂。针对菲在加氢饱和反应中存在的吸附问... 详细信息

煤焦油富含芳烃的特点赋予其制备高性能喷气燃料的可行性,且芳烃中稠环芳烃类化合物的加氢饱和产物环烷烃(如全氢菲)可显著增强喷气燃料的热安定性。该过程实现的关键在于制备高性能加氢饱和催化剂。针对菲在加氢饱和反应中存在的吸附问题,本文基于NiP特殊的电子结构,以强化芳烃的吸附为目标,采用次磷酸盐歧化法制备了系列NiP/AlO-tio催化剂,并考察了tio掺杂对NiP/AlO催化剂结构及菲加氢饱和活性的影响。结果表明:当反应温度320℃、压力5 MPa、重时空速52 h时,与NiP/AlO相比,NiP/AlO-tio催化剂的全氢菲选择性由49%提升至68%,而催化剂的菲转化率基本没有发生变化。通过对催化剂分析发现:载体中掺杂的tio可向NiP中的Ni转移电子,使得Ni处于适宜的缺电子状态,强化了催化剂对菲的吸附强度,最终提高了催化剂的全氢菲选择性。

关键词：菲加氢饱和 Ni2P tio2掺杂吸附全氢菲

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山西大学学报(自然科学版) 2008年第2期31卷 232-235页

作者：席琦于慧娟张智敏山西晋城职业技术学院化工系山西大学化学化工学院

以钛酸丁酯为前驱体,采用溶胶-凝胶-浸渍法在镍片表面制备了磁性离子掺杂改性的tio2薄膜.采用X射线粉末衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)对其晶体结构及表面形貌进行表征,并通过碱性染料罗丹明B的光降解实验评价了其光催化活性.结果表明:Fe3+、... 详细信息

以钛酸丁酯为前驱体,采用溶胶-凝胶-浸渍法在镍片表面制备了磁性离子掺杂改性的tio2薄膜.采用X射线粉末衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)对其晶体结构及表面形貌进行表征,并通过碱性染料罗丹明B的光降解实验评价了其光催化活性.结果表明:Fe3+、Ni2+对tio2薄膜的光催化活性起促进作用,其最佳掺杂量分别为0.2%和0.5%,罗丹明B的在2 h内的降解率分别提高了27%和7%,而Co2+掺杂引起催化剂失活.XRD结果表明,掺杂磁性离子的tio2经450℃煅烧2 h后均为锐钛矿相,适量金属离子的掺杂使tio2的粒径减小.

关键词： tio2掺杂光催化降解溶胶-凝胶-浸渍法罗丹明B 磁性离子

硅气凝胶掺杂tio2与硅酸铝纤维毡复合制备工艺研究

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硅气凝胶掺杂TiO2与硅酸铝纤维毡复合制备工艺研究

作者：张学舟长安大学

学位级别：硕士

随着工业技术的发展，在一些特殊领域传统的绝热材料已无法满足高要求的高温绝热性能及新的节能减排要求。SiO气凝胶是一种具有纳米多孔网络结构的高效绝热材料，密度为0.003.5g/cm3，导热系数小于0.02W/(m K)，孔隙率高达80%9%，在常... 详细信息

随着工业技术的发展，在一些特殊领域传统的绝热材料已无法满足高要求的高温绝热性能及新的节能减排要求。SiO气凝胶是一种具有纳米多孔网络结构的高效绝热材料，密度为0.003.5g/cm3，导热系数小于0.02W/(m K)，孔隙率高达80%9%，在常温下是非常优秀的绝热性能。但是纯硅气凝胶对于2μm的红外辐射具有穿透性，且其本身机械性能差，因此不能单独作为高温绝热材料使用。通过掺杂tio和硅酸铝纤维，有效地降低了红外透过率，并且提高了机械强度，有望成为一种高效轻质高温绝热材料。本论文采用廉价的水玻璃为硅源，结合SiO气凝胶的溶胶凝胶制备工艺，通过掺杂tio有效地降低了红外透过率。具体研究了tio的添加量及添加工艺，pH值对整个制备工艺的影响，硅烷偶联剂对tio分散工艺的改进，结果表明tio经过超声分散后被均匀分散到溶胶溶液当中，分散时间和分散频率的控制对SiO气凝胶的孔结构及tio的分散程度非常重要，确定200kHz分散1min为最佳分散工艺;tio的掺入对SiO气凝胶的密度影响较大，掺量过小又起不到阻挡红外辐射的作用，根据红外透过率曲线发现掺量为5%与8%的很接近，但密度却小很多，因此最终掺量5%;pH值可以控制溶胶的水解和缩聚速率，对孔结构的形成极为重要，实验研究了tio引入对pH值的影响，发现tio对溶胶的pH值影响不大;硅烷偶联剂由于既含有疏水基团，又含有亲水基团，它可以起到连接有机材料和无机材料的作用，通过用硅烷偶联剂对tio经行表面改性，可以提高tio的分散性，减少团聚，同时硅烷偶联剂还有诱导SiO纳米粒子定向生长的作用，达到控制孔结构的作用，通过实验发现当硅烷偶联剂含量为70w%时比表面积为497.23m2/g，累积孔体积1.8993ml/g，平均孔直径37.51nm，累计孔面积399.62m2/g，孔结构为介孔。由于硅酸铝纤维略显碱性，引入溶胶后会升高溶胶的pH值，因此在引入前溶胶溶液的pH值应该保持一个较低的值，根据实验引入硅酸铝纤维前溶胶的pH应值在4.5左右为宜;在实验中发现，纤维毡厚度对制备过程的影响较大，而纤维毡的厚度影响到老化、交换、修饰等工艺的进行，控制毡的厚度可以达到控制后续工艺的目的，通过纤维毡厚度实验可以看出，随着厚度的增加密度会出现增大的趋势，并伴随着黄块的出现，当厚度超过1cm时密度开始急剧上升，最终选择1cm为硅酸铝纤维毡厚度的最大上线;通过老化工艺的调整，掌握了老化时间的影响，老化时间不足会造成孔结构的塌陷，不利于形成低密度的气凝胶，老化时间长延长实验周期且浪费资源，当先用正硅酸乙酯老化2d，再用无水乙醇老化2d可以满足老化要求，得到密度较小的硅酸铝纤维复合气凝胶毡;修饰工艺之后在气凝胶的孔结构中还残留有部分水和HCl，通过进一步交换可以保证残留的水和HCl清除干净，有利于干燥过程的进行，实验表明将正己烷与无水乙醇按9:1配合交换效果最好，得到的硅酸铝纤维复合气凝胶毡的密度为0.1627g/cm3，导热系数为0.02818w/(m K)。

关键词：高温绝热硅气凝胶复合材料硅酸铝纤维毡 tio2掺杂红外辐射溶胶凝胶纤维/SiO2气凝胶

tio_2掺杂导致的SnO_2压敏陶瓷晶粒尺寸效应

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电子元件与材料 2004年第6期23卷 20-22,27页

作者：明保全王矜奉陈洪存苏文斌臧国忠高建鲁山东大学物理与微电子学院山东济南250100 济南安太电子研究所山东济南250010

研究了tio2掺杂对SnO2-Co2O3-Nb2O5系压敏陶瓷材料电学性能的影响。掺入x(tio2)为1.00%的陶瓷样品具有最高的密度(r = 6.82 g/cm3),最高的视在势垒电场(EB= 476 V/mm),最高的非线性系数(a = 11.0),最小的相对介电常数。未掺杂的样品阻... 详细信息

研究了tio2掺杂对SnO2-Co2O3-Nb2O5系压敏陶瓷材料电学性能的影响。掺入x(tio2)为1.00%的陶瓷样品具有最高的密度(r = 6.82 g/cm3),最高的视在势垒电场(EB= 476 V/mm),最高的非线性系数(a = 11.0),最小的相对介电常数。未掺杂的样品阻抗最大。随tio2掺杂量的增加晶粒逐渐变小,晶粒尺寸的减小归因于未固溶于SnO2晶格而偏析在晶界上的tio2阻碍相邻SnO2晶粒融合。为了解释SnO2-Co2O3-Nb2O5-tio2系电学非线性性质的根源,对前人的晶界缺陷势垒模型进行了修正。

关键词：压敏材料二氧化锡电学性能晶粒尺寸缺陷势垒模型 tio2掺杂 SnO2

tio_2掺杂ZnSnO_3气敏材料结构及气敏性能研究

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兵器材料科学与工程 2010年第4期33卷 79-82页

作者：余龙叶素芳金华职业技术学院制药与材料工程学院浙江金华321007

在沉淀所得ZnSnO3中掺杂tio2凝胶,在烧结后的ZnSnO3中掺杂烧结后的纳米级的tio2,在烧结后的ZnSnO3中掺杂商用tio2,得到3种具有气敏性能的气敏材料试样。通过X衍射、FT-IR、TEM和SEM对其成分和结构进行表征和分析。并分别做成气敏元件,... 详细信息

在沉淀所得ZnSnO3中掺杂tio2凝胶,在烧结后的ZnSnO3中掺杂烧结后的纳米级的tio2,在烧结后的ZnSnO3中掺杂商用tio2,得到3种具有气敏性能的气敏材料试样。通过X衍射、FT-IR、TEM和SEM对其成分和结构进行表征和分析。并分别做成气敏元件,对其气敏性能进行测试。最终发现在沉淀所得ZnSnO3中掺杂tio2凝胶所得气敏材料有最小的粒径,达到纳米级。气敏元件对体积分数为4 000×10-6的乙醇在250℃灵敏度达到35,相对C2H5OH,CO2,C2H2,H2,LPG,NH3等气体最好的选择性。

关键词：气敏材料气敏性能 tio2掺杂 ZnSnO3

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基于单元素掺杂的tio2光催化材料数据库

中国科学数据（中英文网络版） 2021年第1期6卷 254-263页

作者：王宗国郭令举万萌李凯刘志威郭佳龙中国科学院计算机网络信息中心北京100190 中国科学院大学北京100190 中国科学院国家纳米科学中心北京100190

tio2作为最重要的光催化材料之一,由于其禁带宽度仅能吸收太阳光的紫外光部分,导致tio2光催化剂的催化效率较低。通过掺杂来调控tio2的禁带宽度是提高tio2光催化效率的主要途径。目前已有不同的研究对单个元素掺杂tio2的机理进行探索,... 详细信息

tio2作为最重要的光催化材料之一,由于其禁带宽度仅能吸收太阳光的紫外光部分,导致tio2光催化剂的催化效率较低。通过掺杂来调控tio2的禁带宽度是提高tio2光催化效率的主要途径。目前已有不同的研究对单个元素掺杂tio2的机理进行探索,但是从零散的数据中很难发现系统的规律,因此建立一个包含全元素周期表的掺杂数据库对于进一步的研究非常重要。本研究基于高通量计算和筛选技术,建立了全自动的工作流和数据采集系统,构建了包含上百个结构及其对应的磁性、电子结构、热力学以及介电性质的数据库,从参数收敛、计算结果收敛两个方面进行数据质量控制。本数据库包含了计算原始数据文件和部分抽取的数据,对于开展基于tio2光催化材料的研究具有良好的数据支撑作用。

关键词： tio2掺杂光催化材料数据库高通量计算第一性原理计算

浸渍法制备镧掺杂tio2光催化剂粉体及其光催化活性的研究

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浸渍法制备镧掺杂TiO2光催化剂粉体及其光催化活性的研究

tio_2掺杂对高频MnZn功率铁氧体显微结构及磁性能的影响

作者：陈祥雨杨晨天津市建材业协会天津市建筑材料产品质量监督检测中心

本文以Ti OSO4和氨水为原料,采用沉淀法制备纳米二氧化钛光催化剂,通过甲基橙的光催化降解实验研究了其光催化活性,并采用TEM、XRD和UV-vis等测试方法对催化剂的表面形貌、晶型结构和光吸收特性进行表征。随后采用浸渍法制备掺杂镧的二... 详细信息

本文以Ti OSO4和氨水为原料,采用沉淀法制备纳米二氧化钛光催化剂,通过甲基橙的光催化降解实验研究了其光催化活性,并采用TEM、XRD和UV-vis等测试方法对催化剂的表面形貌、晶型结构和光吸收特性进行表征。随后采用浸渍法制备掺杂镧的二氧化钛光催化剂,研究了稀土元素（La）的掺杂对二氧化钛光催化活性的影响。结果表明,适量稀土元素（La）的掺杂,对甲基橙的光催化降解活性有明显的提高。其中,镧的最佳掺杂量为1%。

关键词：光催化 tio2掺杂稀土

来源： cnki会议评论

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磁性材料及器件 2015年第6期46卷 37-39,76页

作者：谭学谦余忠孙科蒋晓娜兰中文柴治电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室四川成都610054 四川大学计算机学院四川成都610064

采用氧化物陶瓷工艺制备2-4MHz高频开关电源用MnZn功率铁氧体,通过对铁氧体断面显微结构、密度和磁性能的测试,研究了tio2掺杂量对材料微观结构、磁导率和功率损耗的影响.结果表明,随着tio2掺杂量的增加,样品平均晶粒尺寸先减小后增大,... 详细信息

采用氧化物陶瓷工艺制备2-4MHz高频开关电源用MnZn功率铁氧体,通过对铁氧体断面显微结构、密度和磁性能的测试,研究了tio2掺杂量对材料微观结构、磁导率和功率损耗的影响.结果表明,随着tio2掺杂量的增加,样品平均晶粒尺寸先减小后增大,磁导率单调减小,不同温度（25℃、100℃）下的磁心总功率损耗（激励条件3MHz,10mT、25mT）先减小后增大.说明tio2的适量掺杂可以改善高频MnZn功率铁氧体的微观结构,降低其功耗.

关键词： MnZn功率铁氧体 tio2掺杂微观结构功耗

掺杂tio_2对ZnO压敏陶瓷电学性能的影响

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材料热处理学报 2015年第3期36卷 31-34页

作者：于晓华荣菊詹肇麟王远昆明理工大学材料科学与工程学院云南昆明650093 中国科学院金属研究所辽宁沈阳110016 西南林业大学机械与交通学院云南昆明650224

以ZnO粉末为主要原料,以tio2、Bi2O3、MnO2、Co2O3、Sb2O3为组元,在常规电子陶瓷生产工艺下制备低压化ZnO压敏陶瓷。将掺杂tio2的陶瓷片与未掺杂tio2的陶瓷片进行对比分析,确定最佳掺杂量。采用能谱仪分析瓷片的微区成分,采用SEM观察瓷... 详细信息

以ZnO粉末为主要原料,以tio2、Bi2O3、MnO2、Co2O3、Sb2O3为组元,在常规电子陶瓷生产工艺下制备低压化ZnO压敏陶瓷。将掺杂tio2的陶瓷片与未掺杂tio2的陶瓷片进行对比分析,确定最佳掺杂量。采用能谱仪分析瓷片的微区成分,采用SEM观察瓷片断口形貌,利用压敏电阻直流参数仪测量瓷片的电学性能。研究结果表明,瓷片内部主要存在富Bi晶界、Bi贫化晶界和晶粒直接接触晶界;tio2对ZnO晶粒有助长作用,不掺杂纳米tio2陶瓷是11.4μm,掺杂纳米tio2高达30.5μm;当tio2掺杂量为1.5%mol时瓷片电学性能较优,即压敏电压为31.2 V/mm、漏电流为0.028 m A及为非线性系数为20.1。

关键词： ZnO压敏陶瓷 tio2掺杂压敏电压非线性系数漏电流